SOI 제작을 위한 표면 기포 형성에 대한 실험적 고찰

Abstract

Smart-cut 기술을 이용하여 SOI 제작에 필요한 표면 기포 형성(blistering)이 이온 주입 후 열처리 공정에 의해 연구되었다. 2.0 MV tandem 이온 가속기를 이용하여 95 keV의 주입에너지로 5 $\times$ 10$^{16}$ ions/cm$^2$의 수소 이온이 실리콘 시료에 주입되었다. 수소 이온이 주입된 실리콘 시료에서 표면 기포 형성이 열처리 온도와 시간에 따라 측정 되었다. 그 결과 표면 기포의 형성은 열처리 시간보다 열처리 온도에 더 많이 의존한다. 더욱이 표면 기포가 형성되기 시작하는 시간은 온도가 증가함에 따라 급격히 감소한다.