| 1999-06 | TEM investigation of InAs quantum dots multi-stacked on GaAs(100) substrates | 노정현; 박용주; 김광무; 박영민; 김은규; 이선우; 심광보 |
| 2000-09 | The effect of N+-implanted Si(111) substrate and buffer layer on GaN films | 고의관; 박용주; 김은규; 박찬수; 이석현; 이정희; 조성호 |
| 2000-08 | The effect of stress-imposed Si(111) substrate on GaN film | 고의관; 박용주; 김은규; 박찬수; 이석현; 이정희; 조성호 |
| 2003-02 | The effects of H₂/N₂ mixed gas-plasma pretreatment of sapphire (0001) surface on the characteristics of GaN epilayers | 김재균; 박용주; 변동진; 김은규; 고의관; 박일우 |
| 2002-04 | The effects of metallic catalysts on the synthesis of GaN microcrystals | Cheong Hyun Roh; 박용주; Eun Kyu Kim; Kwang Bo Sim |
| 2004-09 | The effects of strained sapphire (0001) substrate on structural quality of GaN epilayer | 조용석; J.K. Kim; 박용주; H. Na; Hee Jin Kim; Hyun Jin Kim; Euijoon Yoon; Young Woon Kim |
| 2004-11 | The emission wavelength tuning of InAs/InP quantum dots with thin GaAs, InGaAs, InP capping layers by MOCVD | 박광민; 안응진; 전유진; 정현식; 김진석; 김은규; 이정일; 박용주; 이건도; 윤의준 |
| 1994-05 | The facet evolution during MOCVD epitaxial growth on V-grooved high miller index GaAs substrates. | 김용; 김성일; 김무성; 이민석; 박용주; 민석기 |
| 1994-01 | The fact evolution during metalorganic vapor phase epitaxial growth on V-grooved high miller index GaAs substrates. | 박용주; 김무성; 김용; 이민석; 김성일; 민석기 |
| 2000-11 | The growth of high quality GaAs epilayers on stripe patterned InP substrates with a transferred GaAs fused layer | 황성민; 박용주; 김은규; 최인훈 |
| 1991-12 | The observation of striation in GaAs : Si single crystal grown by horizontal bridgman method. | 박용주; 박찬용; 박승철; 한철원; 민석기; 김기수 |
| 2002-08 | The postannealing effects of GaN epilayer grown on N-ion implanted sapphire substrate | Junggeun Jhin; Jaekyun Kim; Mingu Kang; Dongjin Byun; 박용주; Eui Kwan Koh |
| 2001-05 | The synthesis and characterization of GaN micro-crystals | 노정현; 박용주; 김은규; 심광보 |
| 2002-07 | Thermal evolution of α -and β -phases in the thin GaN on (001)GaAs. | 박용주; E.K.Koh; C.S.Park |
| 1995-07 | Thermal stability of a RuO//2 schottky contact on (NH//4)//2S//χ treated n-type GaAs. | 박용주; 김은규; 손맹호; 임종수; 민석기 |
| 1995-01 | Thermal stability of the EL2 deep level in an AM-VGF GaAs: In single crystal. | 박용주; 민석기; 김은규; 심기대; 박만장 |
| 2003-06 | Thermal treatment of InGaAs/GaAs self-assembled quantum dots with PECVD-grown SiO₂ capping layer | 황성호; 신재철; 최원준; 박영민; 송진동; 박용주; 한일기; 조운조; 이정일; 최정우 |
| 2002-08 | Thermal treatment of InGaAs/GaAs self-assembled quantum dots with SiNx and SiO ₂ capping layers | J.H. Lee; 최원준; 박용주; 한일기; 이정일; 조운조; E.K. Kim; C.M. Lee; H.-W. Kim |
| 2003-02 | Thermal treatment of InGaAs/GaAs self-assembled quantum dots with SiNx and SiO₂ capping layers | 이정호; 최원준; 박용주; 한일기; 이정일; 조운조; 김은규; 이종무; H.-W. Kim |
| 2003-08 | Transient behavior of self-assembled quantum dots formed by atomic layer epitaxy technique | 박영민; 박용주; 김광무; 신재철; 송진동; 이정일; 유건호 |
| 1997-01 | Transient characteristics of nitrogen gas-pulsed electron cyclotron resonance plasma | 박용주; 민석기; Kazunari Ozasa; Patrick O |
| 2004-05 | Transport in self-assembled quantum dots | S.W. Hwang; 박용주; J.P. Bird; D. Ahn |
| 2020-09 | Tyrosine kinase inhibitor neratinib attenuates liver fibrosis by targeting activated hepatic stellate cells | 김광명; 박용주; 안형태; 박종성; 박옥이; Aalexander J. Duh; 정규혁; 이강춘; 오유민; 이슬기 |
| 2001-06 | Visible photoluminescence from porous poly-Si/Si and amorphous-Si/Si structures | 김민기; 윤주환; 유종훈; 조신호; 박용주; 김은규 |
| 1995-02 | X-ray study of semiconductor crystals. | 박용주; 민석기; 김영미; 김현미; 이혜영; 김광우; 염효영; 박영한 |
| 1997-06 | X-ray triple crystal diffraction spectrometer and its applications | 박영한; 염효영; 윤형근; 민석기; 박용주 |
| 2003-12 | ZnNiO thin films deposited by r.f. magnetron sputtering method | 오형택; 이태경; 김동우; 박용주; 박일우; 김은규 |
| 1991-01 | 갈륨비소위에 플라즈마 화학 증착한 텅스텐박막의 특성연구 . | 김용태; 민석기; 홍종성; 박승철; 박용주; 한철원; 이명복; 강태원; 홍치유 |
| 2001-03-26 | 경사진 기판을 이용한 양자점 어레이 형성방법 | 김은규; 김태환; 김효진; 박용주 |
| 1995-03 | 매사 (mesa)가 형성된 GaAs 기판위에 MOCVD로 성장시킨 AlGaAs/GaAs 다층박막의 결정면 성장거동의 온도의존성 | 김용; 박양근; 이민석; 김무성; 박용주; 김성일; 민석기; 박만장 |
