| 2010-08 | Calculation of full digital-alloyed 1.3 μm MQWs and their optical, structural and electrical properties | K H LEE; 송진동; 이정훈; 허두창; 한일기; Y T LEE |
| 2020-10 | Carrier？phonon interaction of GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum dots grown by droplet epitaxy | 한일기; 송진동; 여인아; 김종수 |
| 1998-05 | CBE법으로 성장시킨 InGaAs/InGaAsP MQW을 활성층으로 하는 DFB 레이저 다이오드의 동작특성 | 박경현; 우덕하; 한일기; 이석; 김선호; 최상삼 |
| 2017-02 | CH3NH3PbI3 crystal orientation and photovoltaic performance of planar heterojunction perovskite solar cells | 한일기; 박준서; 배승환; 신태주; 조원호 |
| 1999-11 | Characteristics of 1.55 ㎛ diffraction-limited high-power LD with different p-doping profiles | 한일기; 조시형; 우덕하; 김선호; 이정일; F.G. Johnson; M. Dagenais |
| 2004-12 | Characteristics of 1/f Noise in Au/GaAs Schottky Diode Embedded with Self-Assembled InAs Quantum Dots | 송진동; 최원준; 한일기; 이정일; 김정훈; 송종인; Alain Chovet |
| 2009-04 | Characteristics of chirped quantum dot superluminescent diodes | 배형철; 박홍이; 유영채; 한일기; 김종수 |
| 2009-12 | Characteristics of InAs quantum dot superluminescent diodes utilizing trench structures | 유영채; 한일기; 이정일; 이주인; 김은규 |
| 1997-11 | Characteristics of semiconductor optical amplifier coated by double-layer antireflection | 이석; 조용상; 우덕하; 김회종; 한일기; 박경현; 김선호; 강광남; Jungkeun Lee; Takeshi Kamiya |
| 2003-08 | Characteristics of superluminescent diodes utilizing In0.5Ga0.5As quantum dots | 허두창; 송진동; 최원준; 이정일; 정지채; 한일기 |
| 1992-01 | Charge trapping instabilities in SiO2/InP MIS structures. | 강광남; 이정일; 최병두; 김충환; 임한조; 한일기 |
| 1997-05 | Chirped DBR grating 구조가 파장 가변 다전극 DBR 레이저 다이오드의 특성에 미치는 영향 . | 조성호; 김회종; 한일기; 최원준; 이석; 우덕하; 김선호; 강광남; 최상삼; 윤태훈 |
| 2020-07 | Comparative chemico-physical analyses of strain-free GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum dots grown by droplet epitaxy | 한일기; 송진동; 이규태; 여인아; 김도균; 김종수; 박철홍 |
| 2007-08 | Comparison of optical gain and α-factor in laser diodes having different quantum dot structures | 김경찬; 유영채; J. H. Jung; 한일기; 이정일; D. H. Kim; 김태근 |
| 1987-01 | Composition determinatin of THM grown Hg1-xZnxTe single crystal by dEg/dT | 전형욱; 김근묵; 한석룡; 한일기; 박홍이; 정중현 |
| 1993-01 | Constant capacitance technique to study electrical instabilities in InP MIS provided by PECVD silicon nitride. | 강광남; 이정일; 한일기; C. H. Kim; B. Choe; H. L. Park; H. Lim |
| 2002-05 | Correlation between threshold voltage shift and gate current change in MODFET's under optical illumination | 김회종; 김동명; 한일기; 최원준; 이정일 |
| 2003-07 | CW 0.5-W 1.52-㎛ digital alloy AlGaInAs-InP multiple-quantum-well lasers | 허두창; 송진동; 한일기; 이정일; 정지채; 김종민; 이용탁 |
| 2000-03 | Dependence of the light-current characteristics of 1.55-㎛ broad-area lasers on different p-doping profiles | 한일기; S. H. Cho; P. J. S. Heim; 우덕하; 김선호; J. H. Song; F. G. Johnson; M. Dagenais |
| 1993-01 | Deposition temperature dependence of electrical instability in InP MIS provided by PECVD silicon nitride. | 강광남; 이정일; 한일기; M. B. Lee; Y. J. Lee; H. Lim |
| 2013-01 | Design and Fabrication of 1.35-μm Laser Diodes With Full Digital-Alloy InGaAlAs MQW | 허두창; 송진동; 한일기; 최원준; 이용탁 |
| 2003-06 | Detection wavelength tuning of infrared-photodetector by thermal treatment of AlGaAs/GaAs | 황성호; 신재철; 최원준; 박영민; 송진동; 박용주; 한일기; 조운조; 이정일; 한해욱 |
| 2003-08 | Development of quantum dot VCSEL array modules | 최원준; 한일기 |
| 1996-01 | Dielectric cap disordering of InGaAs/InP quantum well by PECVD grown SiN and SiO2. | 강광남; 김회종; W. J. Choi; 이석; D. Woo; 한일기; S. K. Kim; S. H. Kim; 이정일 |
| 2007-09 | Dislocation related defect states in GaN irradiated with 1 MeV electron-beam | 이동욱; 하임경; 김진석; 김은규; 고의관; 한일기 |
| 2008-04 | Dislocation related defect states in GaN irradiated with 1 MeV electron-beam | 이동욱; 하임경; 김진석; 김은규; 고의관; 한일기 |
| 2013-09 | Down-conversion effect on GaAs single junction solar cell using CdSe quantum dots | 한일기; 송진동; 박준서; 고형덕; 김지훈; 김은겸 |
| 2013-02 | Droplet epitaxy 법을 이용한 GaAs quantum ring 형성 | 이은혜; 송진동; 김지훈; 김수연; 배민환; 연규혁; 김준영; 한일기; 장수경; 김종수 |
| 2005-02 | Effect of deposition period on structural and optical properties of InGaAs/GaAs quantum dots formed by InAs/GaAs short-period superlattices | 송진동; 박용주; 한일기; 최원준; 조운조; 이정일; 조용훈; 이정용 |
| 2004-05 | Effect of deposition period on structural and optical properties of InGaAs/GaAs quantum dots formed by InAs/GaAs short-period superlattices | 송진동; 박용주; 한일기; 최원준; 이정일 |
