1991-01 | GaAs 기판상에 구성된 방향성 결합기를 이용한 진행파형 광변조기의 특성 최적화에 관한 연구 . | 강광남; 이정일; 최원준; 홍성철; 한일기 |
1991-01 | GaAs 기판상에 구성된 방향성 결합기를 이용한 진행파형 광변조기의 해석 . | 강광남; 이정일; 최원준; 홍성철; 한일기 |
2018-05 | GaAs droplet quantum dots with nanometerthin capping layer for plasmonic applications | 한일기; 송진동; Suk In Park; Oliver Joe Trojak; Eunhye Lee; Jihoon Kyhm; Jongsu Kim; Luca Sapienza; Gyu-Chul Yi |
1997-05 | GaAs/AlAs 단주기 초격자 구조의 광특성 | 우덕하; 한일기; 최원준; 이석; 김선호; 강광남 |
2010-04 | Gain-dependent linewidth enhancement factor in the quantum dot structures | 김경찬; 한일기; 이정일; 김태근 |
1997-04 | Gas source molecular beam epitaxy 를 이용한 GaAs/AlGaAs 다중양자우물 구조의 성장 | 우덕하; 최석근; 김회종; 한일기; 최원준; 이석; 이정일; 김선호; 강광남 |
1989-01 | Gate voltage dependence parasitic resistence in LDD MOSFETs. | 강광남; 이정일; 이명복; 이유종; 김동명; 한일기 |
2004-12 | Gate-bias dependence of low-frequency noise in poly-Si thin-film transistors | 한일기; 이정일; 이명복; 장수경; 김은규 |
2011-01 | Growth and characterization of low density droplet GaAs quantum dots for single photon sources | 하승규; 송진동; 임주영; S. Bounouar; F. Donatini; L. S. Dang; J. P. Poizat; J. S. Kim; 최원준; 한일기; 이정일 |
1990-01 | Growth and characterization of silicon nitride films by PECVD. | 강광남; 이정일; J. H. Jo; 한일기; Y. J. Lee |
1991-01 | Growth and characterization of silicon-nitride films by plasma-enhanced chemical vapor deposition | 강광남; 이정일; J. H. Jo; 한일기; Y. J. Lee |
2012-05 | Growth of InP/InGaP quantum structure for the 808-nm wavelength emission | 김수연; 이은혜; 송진동; 한일기; 이정일; 김태환 |
2004-06 | Growth of Trianglar Shaped InGaAs/GaAs Quantum Wire Structure with Various Thicknesses in One Chip | 김성일; 김영환; 한일기 |
2003-04 | Growth of triangular shaped InGaAs/GaAs quantum wire structures | 김성일; 한일기; 정상욱; C. Jagadish |
2008-05 | Guest editorial | 한일기; 김은규; 이성재; 이주열; 윤의준; 정현식 |
1999-02 | Hall-probe array 와 SQUID 를 이용한 YBa ₂ Cu ₃ O//7 단결정의 자기적 특성 비교 | 심성엽; 황태종; 김동호; 한일기; 오상준; 이형철; 김진태 |
1991-01 | Heating effect in plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon-nitride. | 강광남; 이정일; J. H. Jo; 한일기; Y. J. Lee |
2003-09 | High performance of 1.54㎛ InGaAsP high-power tapered laser using high p-doped separate confinement layer and strain compensated multiple quantum wells | 허두창; 한일기; 이정일; 정지채 |
2003-05 | High power broadband InGaAs/GaAs quantum dot superluminescent diodes | 허두창; 송진동; 최원준; 이정일; 정지채; 한일기 |
2007-09 | High power broadband superluminescent diodes with chirped multiple quantum dots | 유영채; 한일기; 이정일 |
2004-12 | High power laser diodes/superluminescent diodes | 한일기 |
2004-09 | High power laser diodes/superluminescent diodes | 허두창; 한일기; 송진동; 박용주; 최원준; 조운조; 이정일 |
2010-06 | High power single-lateral-mode operation of InAs quantum dot based ridge type laser diodes by utilizing a double bend waveguide structure | 김경찬; 한일기; 이정일; 김태근 |
2016-06 | High-performance flexible and air-stable perovskite solar cells with a large active area based on poly(3-hexylthiophene) nanofibrils | 한일기; 박준서; 박민우; 오진영 |
1999-06 | High-power 1.5㎛ superluminescent diodes | S.H. Cho; 한일기; Y. Hu; J.H. Song; P.J.S. Heim; M. Dagenais; F.G. Johnson; D.R. Stone |
2011-11 | High-power 745-nm Laser Diode Utilizing InP/InGaP Quantum Structures Grown by Using Migration Enhanced Epitaxy | 하승규; 송진동; 한일기; 고대영; 김수연; 이은혜 |
2020-07 | High-power and flexible indoor solar cells via controlled growth of Perovskite using a greener antisolvent | 한일기; 강구민; 김소영; 오희윤; 정인영; 박민우 |
2000-07 | High-power broad-band superluminescent diode with low spectral modulation at 1.5-㎛ wavelength | J. H. Song; S. H. Cho; 한일기; Y. Hu; P. J. S. Heim; F. G. Johnson; D. R. Stone; M. Dagenais |
2012-10 | High-power InAs Quantum-dot Superluminescent Diodes with Offset J-shaped Waveguides | 유영채; 한일기; 김지현 |
2009-10 | High-power single-mode 1.3-㎛ InGaAsP-InGaAsP multiple-quantum-well laser diodes With Wide Apertures | 김경찬; 장동기; 이정일; 김태근; 이우원; 김정호; 양은정; 구본조; 한일기 |