| 1996-07 | CBr4 가스를 사용하여 (100) 및 2 ˚ off (100) GaAs 기판 위에 성장한 탄소도핑된 GaAs 에피층의 전기적 성질 | 손창식; 김성일; 민병돈; 김은규; 민석기; 최인훈 |
| 1996-01 | Heavily carbon-doped GaAs epilayers grown on (100) and 2 ˚ off (100) GaAs substrates using carbon tetrabromide. | 손창식; 김성일; 민병돈; 김은규; 민석기; 최인훈 |
| 1997-05 | Laser direct etching of Al//0//.//3Ga//0//.//7As/GaAs multilayer structures. | 박세기; 민병돈; 김성일; 김은규; 민석기; 이천; 안병성 |
| 1996-01 | Lateral growth rate enhancement on patterned GaAs substrate in [001] direction with CCl//4 by MOCVD. | 김성일; 민석기; 황성민; 김은규; 민병돈; 이민석; 맹선재 |
| 1996-09 | MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과 | 김성일; 김무성; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규; 민석기 |
| - | Selective formation of InAs self-assembled quantum dots on AFM-patterned GaAs | 현찬경; Park Young Ju; KIM EUN KYU; 최승철; 송상헌; 황성우; 민병돈; 안도열 |
| 1995-01 | The carbon doping characteristics of GaAs epilayers grown on GaAs substrates with various crystal orientations. | 김성일; 민석기; 민병돈; 황성민; 김무성 |
| 1995-01 | The facet evolution analysis of GaAs/AlGaAs multilayers grown on GaAs substrates with various patterns using CCl//4. | 김성일; 민석기; 황성민; 민병돈; 김무성 |
| 1996-05 | 고농도로 탄소도핑된 InGaAs 에피층의 전기적성질에 대한 급속열처리효과 | 손창식; 김성일; 민병돈; 김태근; 김용; 김무성; 김은규; 민석기; 최인훈 |
| 1996-05 | 여러가지 기판방향에서 MOCVD 방법으로 성장한 GaAs 에피층의 탄소 도핑 특성 | 민병돈; 황성민; 손창식; 김성일; 김무성; 김은규; 민석기; 박만장 |
