| 1999-11 | Control of the intermixing of InGaAs/InGaAsP quantum well in impurity free vacancy disordering by changing NH3 flow rate during the growth of SiNx capping layer | 최원준; 이희택; 우덕하; 이석; 김선호; 강광남; 조재원 |
| 2002-08 | Degradation of natural organic matter by catalytic ozonation in aqueous phase | 박종섭; 최희철; 안규홍; 조재원 |
| 1998-07 | Dependence of dielectric-cap quantum-well disordering of GaAs-AlGaAs quantum-well structure on the hydrogen content in SiN//x capping layer | 최원준; 한상민; S. I. Shah; S. G. Choi; 우덕하; 이석; 김선호; 이정일; 강광남; 조재원 |
| 2000-01 | Dependence of quantum well disordering of InGaAs/InGaAsP quantum well structures on the various combinations of semiconductor-dielectric capping layers | 이희택; 조재원; 최원준; 우덕하; 김선호; 강광남 |
| 2000-05 | Dependence of the intermixing of an InGaAs/InGaAsP quantum well in impurity free vacancy disordering on the NH₃ flow rate during the growth of a SiN//x capping layer | 최원준; 이희택; 우덕하; 김선호; 조재원 |
| 2002-12 | Dielectric cap quantum well disordering for band gap tuning of InGaAs/InGaAsP quantum well structure using various combinations of semiconductor-dielectric capping layers | 조재원; 이희택; 최원준; 우덕하; 김선호; 강광남 |
| 2000-09 | Effect of dielectric-semiconductor capping layer combinations on impurity free vacancy disordering of InGaAs/InGaAsP single quantum well structure | 이희택; 최원준; 우덕하; 김선호; 조재원 |
| 1999-01 | Effect of dielectric-semiconductor capping layer combinations on impurity free vacancy disordering of InGaAs/InGaAsP single quantum well structure. | 이희택; 최원준; 우덕하; 김선호; 강광남; 조재원 |
| 1999-01 | Effect of dielectric-semiconductor capping layer combinations on the dielectric cap quantum well disordering of InGaAs/InGaAsP single quantum well structure | 이희택; 최원준; 우덕하; 김선호; 강광남; 조재원; 이종창 |
| 2007-07 | Nanohole Arrays with Sub-30 nm Diameter Formed on GaAs Using Nanoporous Alumina Mask | 정미; 이석; 전영민; 모선일; 조재원; 우덕하 |
| 1998-01 | Reduced Al-Ga interdiffusion in GaAs/AlGaAs multiple quantum well structure by introducing low hydrogen content SiN//x capping layer for dielectric cap quantum well disordering | 최원준; 한상민; S.I. Shah; 최석근; 우덕하; 이석; 김회종; 한일기; 이정일; 강광남; 조재원 |
| 2007-06 | Removal of taste and odor model compound (2,4,6-trichloroanisole) by tight ultrafiltration membranes | 박노원; 이용훈; 이석헌; 조재원 |
| 1999-01 | SiNx 덮개층의 성장조건이 InGaAs/InGaAsP 양자우물 무질서화에 미치는 영향 | 최원준; 이희택; 우덕하; 김선호; 강광남; 조재원 |
| 2000-02 | 유전체덮개 양자우물 무질서공정에서 SiNx 덮개층 성장시 NH3 유량비 조절을 통한 InGaAs/InGaAsP 양자우물의 밴드갭 조절 | 최원준; 이희택; 우덕하; 이석; 김선호; 조재원 |
| 1996-01 | 저온 성장 GaAs/AlGaAs 다중양자우물구조의 유전체 덮개 양자우물 무질서화 . | 한상민; 강광남; 최원준; 이석; 우덕하; 김상국; 김선호; 조재원 |
