DSpace at KIST: 1.5 mm InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 Superluminescent Diode의 광 특성

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DSpace at KISTKIST Article 2006

1.5 mm InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 Superluminescent Diode의 광 특성

Other Titles: Optical characteristic of 1.5 mm InGaAs/InGaAsP/InP QD Superluminescent Diode

Authors: 유영채; 이정일; 김경찬; 김은규; 김길호; 한일기

Issue Date: 2006-09

Publisher: 한국진공학회

Citation: Applied Science and Convergence Technology, v.15, no.5, pp.493 - 498

Abstract: MOCVD로 성장된 InGaAs 양자점을 이용하여 1.5 ㎛의 발광파장을 갖는 고휘도 발광소자 (Superluminescent diode, SLD)를 제작하였다. 상온에서 SLD의 광출력은 CW 3 mW 였고, 3dB 파장대역폭은 55 nm 이었다

Keywords: InGaAs/InGaAsP/InP QD; Photoluminescence; Electroluminescence; Superluminescent Diode; 고휘도 발광소자; InGaAs/InGaAsP/InP 양자점; 레이저 다이오드; 광 루미네센스; InGaAs/InGaAsP/InP QD; Photoluminescence; Electroluminescence; Superluminescent Diode

URI: https://pubs.kist.re.kr/handle/201004/135168

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