1994-01 | Double crystal X-ray diffraction studies of ZnSe on (100) GaAs grown by MBE. | 서상희; 김진상; 정수진; 임성욱 |
1990-01 | Effect of Hg-annealing at different temperatures on the electrical properties of LPE grown Hg0.8Cd0.2Te. | 서상희; 최종술; 정용택; 김재묵; 문성욱 |
1991-01 | Effect of misorientation of(111) CdTe substrate on the surface morphology of Hg0.7Cd0.3Te grown by an LPE process. | 서상희; 곽노정; 임성욱; 김재묵; 최인훈 |
1992-01 | Effect of the DeTe/DmCd mole ratio on the surface morphology of MOVPE grown CdTe/GaAs epi layer. | 서상희; 송원준; 최인훈 |
1988-01 | Effect of the growth rate on the dislocation density and distribution of CdTe single crystals grown by a vertical bridgman method. | 서상희; 송원준; 임성욱; 최인훈; 김재묵 |
1986-01 | Effect of the melting rate on the carbide cell size in an electroslag remelted high speed steel ingot. | 서상희; 최주 |
1986-01 | Effect of the melting rate on the solidification rate in the ESR process. | 최주; 서상희; Renpei Yoda |
1979-01 | Effects of Remelting of Tool Steels by the Electroslag Remelting Process | 서상희; 최주; 최형섭 |
2001-08 | Electrical properties of MOVPE grwon HgCdTe on KOH pretreated GaAs substrates | 김진상; 서대원; 서상희; 안세영 |
1976-01 | ESR 에서 용해속도가 잉고트 미세조직에 미치는 영향 . | 서상희; 최주; 최형섭 |
1990-01 | Evolution of surface morphology during LPE growth of Hg0.7Cd0.3Te. | 서상희; 임성욱; 김재묵; 송원준; 문성욱; 최인훈 |
2001-09 | Flip chip bonder for automatic parallel aligning of IR sensor and read out integrated circuits | 서상희; 김진상; 안세영 |
1995-09 | Growth of HgCdTe epi-layers using MOVPE and surface morphology improvement. | 서상희; 문성욱; 송종형; 박만장; 김봉진; 김긍호 |
1998-01 | Hg-annealing behavior of x=0.3 HgCdTe epitaxial layers | 서상희; 김진상; 송종형; 김제원 |
1996-12 | Hg-확산에 의한 HgCdTe PV diode 제작 및 특성 | 송종형; 박만장; 서상희 |
2009-04 | Hg1-xCdxTe를 이용한 64×1 선형 적외선 감지 소자 제작 | 김진상; 서상희 |
2006-01-09 | HgCdTe 적외선 감지 소자의 표면 보호막의 제조 방법 | 김진상; 서상희; 정용철; 정연식; 안세영; 김영환 |
2005-10-24 | HgCdTe광다이오드 제조방법 | 김진상; 안세영; 김영환; 서상희 |
2004-02 | High Performance of SWIR HgCdTe Photovoltaic Detector Passivated by ZnS | Ngoc-Tu Lanh; 안세영; 서상희; 김진상 |
1996-01 | Hillock이 없고 전기적 특성이 좋은 (100) HgCdTe/GaAs의 MOVPE 성장 | 서상희; 문성욱; 송종형 |
1993-01 | Improvement of electrical properties of LPE-Hg0.8Cd0.2Te using Cd0.94Zn0.06Te buffer layer. | 서상희; 곽노정; 최인훈 |
2003-11 | Improvement of HgCdTe qualities grown by MOVPE using MBE grown CdTe/Si as substrate | 김진상; 서상희; S. Sivananthan |
1998-12 | In-situ Doped Multilayer MOVPE HgCdTe Growth and Photodiode Fabrication | 송종형; 정관욱; 김진상; 서상희; 김인재; 김선웅; 박만장; 박승만; 김홍국; 김재묵 |
1990-01 | LPE growth of Hg0.80Cd0.20Te. | 서상희; 최종술; 우병일; 김재묵; 문성욱 |
1995-05 | LPE 법에 의한 HgCdTe 이종 다층막의 성장 및 광전압 적외선 감지 소자의 정특성 . | 서상희; 문성욱 |
1992-01 | Material characteristics of CdTe and Cd0.96Zn0.04Te single crystals grown by modified bridgman technique. | 서상희; 김진상; 김재묵 |
2001-04 | Micromachining and fabrication of thin films for MEMS-infrared detectors | 염상섭; 박흥우; 박윤권; 주병권; 오영제; 이종훈; 정문교; 서상희; 황근창 |
2001-11 | MOVPE Growth and Characteristic of HgCdTe for Uncooled SWIR Detector | 김진상; 서상희; 안세영; 김용식 |
2003-02 | MOVPE 법으로 성장한 HgCdTe 박막의 Cd/Te 몰분율에 따른 특성 | 서대원; 김창경; Ngoc-TuLanh; 김진상; 서상희 |
1998-12 | n situ Growth of p-HgCdTe/N-HgCdTe/CdTe/GaAs Epilayer and Fabrication of Two Color Infrared Detector | 박승만; 김흥국; 김재묵; 송종형; 서상희 |