1991-06 | Role of hydrogen atom on metastable defects in GaAs. | 김은규; 조훈영; 민석기; C. Lee |
1987-12 | RTA 에 따른 HB-GaAs 에서의 midgap level 들에 관한 isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) 연구 : EL2(I). | 김은규; 조훈영; 한철원; 김춘근; 민석기 |
1991-04 | RTA 에 의한 Si 내의 thermal donors 와 깊은 준위의 거동 . | 김은규; 조훈영; 김춘근; 민석기; 김현수; 심기대; 박만장 |
1990-02 | Si 이온주입된 반절연성 GaAs:Cr 의 열처리에 따른 깊은 준위연구 . | 김은규; 조훈영; 홍치유; 민석기; 이호섭; 강태원 |
1991-08 | Si 과 Be 이온이 공동주입된 GaAs 에 대한 전기 및 광학적 특성연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 이호섭; 강태원; 홍치유 |
1988-12 | Twinned GaAs 에 대한 전기적 특성연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기 |
1989-02 | VPE 법으로 성장한 In//xGa//1//-//xAs(x<0.035)/GaAs 에피층내의 깊은 준위 전자덫 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 윤주훈; 김현수; 조성호 |
1988-12 | 다결정 GaAs 에 대한 전기적 특성 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 한철원; 박승철 |
1989-02 | 무전위 GaAs:In 의 급속열처리에 따른 깊은 준위 전자덫 연구 . | 김은규; 조훈영; 박일우; 민석기; 심광보; 한철원; 조성호 |
1991-04 | 수소화에 따른 N 형 GaAs 의 전기적 특성 변화 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 박승철; 김현수 |
1988-07 | 수소화에 의한 GaAs 내의 deep level 생성 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 김재붕; 장진 |
1991-08 | 열처리된 InP 내 깊은 준위 전자덫들의 포획단면적과 포획장벽 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 정영래; 이완호 |
1990-02 | 열처리된 InP-MIS 구조 시료에 대한 깊은 준위 결함상태 . | 김은규; 조훈영; 윤주훈; 민석기; 정영래; 이완호 |