1995-03 | 매사 (mesa)가 형성된 GaAs 기판위에 MOCVD로 성장시킨 AlGaAs/GaAs 다층박막의 결정면 성장거동의 온도의존성 | 김용; 박양근; 이민석; 김무성; 박용주; 김성일; 민석기; 박만장 |
1989-02 | 무전위 GaAs:In 의 급속열처리에 따른 깊은 준위 전자덫 연구 . | 김은규; 조훈영; 박일우; 민석기; 심광보; 한철원; 조성호 |
1999-05-24 | 반도체 금속박막의 배선방법 | 민석기; 권철순; 김용태 |
1999-03-30 | 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김용; 김무성 |
1998-09-01 | 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김용; 김무성 |
1998-03-13 | 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김용; 김무성 |
1999-09-15 | 산화 알루미늄 갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김용 |
1999-06-16 | 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김춘근; 김용 |
1991-04 | 수소화에 따른 N 형 GaAs 의 전기적 특성 변화 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 박승철; 김현수 |
1988-07 | 수소화에 의한 GaAs 내의 deep level 생성 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 김재붕; 장진 |
1999-03-23 | 수평방향 반도체 피엔(PN)접합 어레이 제조방법 | 민석기; 김은규; 김성일 |
1999-03-16 | 수평방향 반도체 피엔(PN)접합 어레이 제조방법 | 민석기; 김은규; 김성일 |
2000-03-31 | 수평방향 반도체 피엔(PN)접합 어레이 제조방법 | 민석기; 김은규; 김성일 |
1995-06-19 | 실리콘기판상에 성장된GaAs에피택셜층의 유기금속화학 증착법에 의한 델타-도핑형성 방법 | 민석기; 김무성; 김용 |
1995-11-08 | 실리콘기판상에 성장된GaAs에피택셜층의 유기금속화학 증착법에 의한 델타-도핑형성 방법 | 민석기; 김무성; 김용 |
1994-01-25 | 실리콘기판상에 성장된GaAs에피택셜층의 유기금속화학 증착법에 의한 델타-도핑형성 방법 | 민석기; 김무성; 김용 |
1989-01 | 실리콘질화박막 (SiNx) 성장을 위한 하향흐름 마이크로 웨이브 플라즈마의 특성 분석 . | 김용태; 김춘근; 민석기 |
1999-05-10 | 실리콘 미세결정 제조 방법 | 민석기; 김은규 |
1996-01-30 | 실리콘 반도체소자의 금속배선 형성용텅스텐 질화 박막증착방법 | 민석기; 김용태 |
1996-04-25 | 실리콘 반도체소자의 금속배선 형성용텅스텐 질화 박막증착방법 | 민석기; 김용태 |
1994-03-23 | 실리콘 반도체소자의 금속배선 형성용텅스텐 질화 박막증착방법 | 민석기; 김용태 |
1995-09-20 | 실리콘 반도체소자의 텅스텐/텅스텐 질화박막 금속배선 형성방법 | 김용태; 민석기 |
1977-03-17 | 액정주입장치 | 정원; 강광남; 민석기 |
1977-03-17 | 액정표시기용 유리기판 표면처리장치 | 최규원; 김형대; 민석기 |
1978-06-12 | 액정표시기의 액정주입홈 | 최규원; 강광남; 민석기 |
1997-11 | 양극 산화법에 의한 자연 산화막의 특성 및 응용 | 박용주; 민석기; 김은규; 장영준; 한철구; 김광무; 오치성; 박창엽 |
1999-05-18 | 양자세선 레이저 다이오드 제작방법 | 민석기; 김태근; 김은규 |
1999-09-15 | 양자세선 레이저 다이오드 제작방법 | 민석기; 김태근; 김은규 |
2000-01-08 | 양자세선 제조방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김용; 김은규; 손창식 |
1996-05 | 여러가지 기판방향에서 MOCVD 방법으로 성장한 GaAs 에피층의 탄소 도핑 특성 | 민병돈; 황성민; 손창식; 김성일; 김무성; 김은규; 민석기; 박만장 |