| 2004-02-27 | Cd/Hg 분위기에서 열처리에 의한 HgCdTe 접합다이오드의 패시배이션 방법 | 김진상; 서상희 |
| 1998-12 | CdZnTe Passivation of HgCdTe by Using Electron Beam Evaporation and Its Interfacial Properties | 김진상; 정관욱; 서상희; 송종형 |
| 2001-09 | Characteristics of MOVPE grown HgCdTe on GaAs and CdZnTe substrates | 김진상; 서상희 |
| 2001-06 | Characteristics of photovoltaic HgCdTe devices for short wavelength infrared detectors | 김진상; 안세영; 전용우; 서상희 |
| 1994-01 | Double crystal X-ray diffraction studies of ZnSe on (100) GaAs grown by MBE. | 서상희; 김진상; 정수진; 임성욱 |
| 2006-07 | Electric Field-Induced Phase Transition Behavior in Tetragonal Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Single Crystals | 정대용; 김진상; 김현재; 윤석진 |
| 2001-08 | Electrical properties of MOVPE grwon HgCdTe on KOH pretreated GaAs substrates | 김진상; 서대원; 서상희; 안세영 |
| 2001-09 | Flip chip bonder for automatic parallel aligning of IR sensor and read out integrated circuits | 서상희; 김진상; 안세영 |
| 2010-05 | Hg 분위기 열처리에 따른 적외선 감지용 Hg0.7Cd0.3Te 박막의구조적 특성 변화 | 김광천; 이차헌; 최원철; 김현재; 김진상 |
| 1998-01 | Hg-annealing behavior of x=0.3 HgCdTe epitaxial layers | 서상희; 김진상; 송종형; 김제원 |
| 2009-04 | Hg1-xCdxTe를 이용한 64×1 선형 적외선 감지 소자 제작 | 김진상; 서상희 |
| 2006-01-09 | HgCdTe 적외선 감지 소자의 표면 보호막의 제조 방법 | 김진상; 서상희; 정용철; 정연식; 안세영; 김영환 |
| 2005-10-24 | HgCdTe광다이오드 제조방법 | 김진상; 안세영; 김영환; 서상희 |
| 2004-02 | High Performance of SWIR HgCdTe Photovoltaic Detector Passivated by ZnS | Ngoc-Tu Lanh; 안세영; 서상희; 김진상 |
| 2003-11 | Improvement of HgCdTe qualities grown by MOVPE using MBE grown CdTe/Si as substrate | 김진상; 서상희; S. Sivananthan |
| 1998-12 | In-situ Doped Multilayer MOVPE HgCdTe Growth and Photodiode Fabrication | 송종형; 정관욱; 김진상; 서상희; 김인재; 김선웅; 박만장; 박승만; 김홍국; 김재묵 |
| 2006-12-01 | LTCC를 이용한 복합후각센서 및 그 제조방법 | 강종윤; 윤석진; 김기원; 이종흔; 조평석; 김진상 |
| 1992-01 | Material characteristics of CdTe and Cd0.96Zn0.04Te single crystals grown by modified bridgman technique. | 서상희; 김진상; 김재묵 |
| 2008-12 | MOCVD 법에 의한 Bi-Te계 열전소재 제조 및 박막형 열전소자 제작 | 권성도; 주병권; 윤석진; 김진상 |
| 2006-05 | MOCVD 법으로 성장된 Bi2Te3 및 Sb2Te3 박막의 구조적 특성 | 김정훈; 김진상; 정대용; 주병권; 최지원 |
| 2009-05 | MOCVD를 이용한 BiSbTe3 박막성장 및 열전소자 제작 | 고려대학교; 윤석진; 주병권; 김진상 |
| 2010-04 | MOCVD를 이용한 대면적 CdTe 단결정 박막성장 | 김광천; 정규호; 유현우; 임주혁; 김현재; 김진상 |
| 2001-11 | MOVPE Growth and Characteristic of HgCdTe for Uncooled SWIR Detector | 김진상; 서상희; 안세영; 김용식 |
| 2003-02 | MOVPE 법으로 성장한 HgCdTe 박막의 Cd/Te 몰분율에 따른 특성 | 서대원; 김창경; Ngoc-TuLanh; 김진상; 서상희 |
| 2023-10-06 | n형 고성능 열전소재 및 그 제조방법 | 이승혁; 백승협; 김진상; 김희숙; 김성근; 윤정호; 강종윤; 최지원; 송현철 |
| 1996-07 | Ohmic 층으로서 HgSe/GaAs의 성장 조건 및 HgSe/p-ZnSe/GaAs 구조의 전기적 특성 | 김제원; 최인훈; 김진상; 서상희 |
| 2022-08 | Oxidation of thermoelectric Bi2Te3-based alloys by atomic layer deposition of Ru metal | 이승혁; Lee Minji; Gwang min Park; 백승협; 김희숙; 김진상; Park Tae Joo; 김성근 |
| 1998-01 | Passivation of HgCdTe by thermal evaporated CdZnTe | 김제원; 송종형; 최인훈; 김진상; 서상희 |
| 2001-11 | Performance of HgCdTe Photo-Diode Passivated with CdZnTe | 안세영; 김진상; 서상희; 김용식 |
| 2015-04 | Preparing for the Post-Silicon Semiconductor Era | 김진상; 구현철; 이전국; 문성욱; 송진동; 송용원; 장준연 |
