| 1999-11 | Control of the intermixing of InGaAs/InGaAsP quantum well in impurity free vacancy disordering by changing NH3 flow rate during the growth of SiNx capping layer | 최원준; 이희택; 우덕하; 이석; 김선호; 강광남; 조재원 |
| 2000-01 | Dependence of quantum well disordering of InGaAs/InGaAsP quantum well structures on the various combinations of semiconductor-dielectric capping layers | 이희택; 조재원; 최원준; 우덕하; 김선호; 강광남 |
| 2004-09 | Dependence of the Intermixing in InGaAs/InGaAsP Quantum Well on Capping Layer | 최원준; 이희택; 이정일; 우덕하 |
| 2000-05 | Dependence of the intermixing of an InGaAs/InGaAsP quantum well in impurity free vacancy disordering on the NH₃ flow rate during the growth of a SiN//x capping layer | 최원준; 이희택; 우덕하; 김선호; 조재원 |
| 2000-03 | Dependence of the intermixing of InGaAs/InGaAsP quantum well in impurity free vacancy disordering on the NH₃ flow rate for the growth of SiNx capping layer | 최원준; 이희택; 우덕하; 이석; 김선호; 최상삼 |
| 2003-10 | Dependence of the intermixing of InGaAs/InGaAsP quantum well on NH₃ flow rate for the growth of SiNx capping layer | 최원준; 이희택; 우덕하; 이정일 |
| 2002-12 | Dielectric cap quantum well disordering for band gap tuning of InGaAs/InGaAsP quantum well structure using various combinations of semiconductor-dielectric capping layers | 조재원; 이희택; 최원준; 우덕하; 김선호; 강광남 |
| 2000-09 | Effect of dielectric-semiconductor capping layer combinations on impurity free vacancy disordering of InGaAs/InGaAsP single quantum well structure | 이희택; 최원준; 우덕하; 김선호; 조재원 |
| 1999-01 | Effect of dielectric-semiconductor capping layer combinations on impurity free vacancy disordering of InGaAs/InGaAsP single quantum well structure. | 이희택; 최원준; 우덕하; 김선호; 강광남; 조재원 |
| 1999-01 | Effect of dielectric-semiconductor capping layer combinations on the dielectric cap quantum well disordering of InGaAs/InGaAsP single quantum well structure | 이희택; 최원준; 우덕하; 김선호; 강광남; 조재원; 이종창 |
| 2000-09 | Impurity free vacancy disordering of an InGaAsP quantum-well structure by using SiN//x film prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition | 최원준; 이희택; 우덕하; 김선호 |
| 1999-01 | SiNx 덮개층의 성장조건이 InGaAs/InGaAsP 양자우물 무질서화에 미치는 영향 | 최원준; 이희택; 우덕하; 김선호; 강광남; 조재원 |
| 2000-02-07 | 양자우물 구조를 갖는 반도체 광소자의 밴드갭 제어방법 | 강광남; 김선호; 김회종; 우덕하; 이석; 이희택; 최원준; 한일기 |
| 1999-10-12 | 양자우물 무질서화 기술에서 유전체-반도체 덮개층 조합에 의한 ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ 양자우물 밴드갭의 조작방법 | 강광남; 김선호; 김회종; 우덕하; 이석; 이희택; 최원준; 한일기 |
| 2000-02 | 유전체덮개 양자우물 무질서공정에서 SiNx 덮개층 성장시 NH3 유량비 조절을 통한 InGaAs/InGaAsP 양자우물의 밴드갭 조절 | 최원준; 이희택; 우덕하; 이석; 김선호; 조재원 |
