| 2006-09 | 1.5 mm InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 Superluminescent Diode의 광 특성 | 유영채; 이정일; 김경찬; 김은규; 김길호; 한일기 |
| 1992-01 | 4x4 matrix 광스위치의 설계에 관한 연구 . | 강광남; 최원준; 이유종; 홍성철; 이정일 |
| 1991-01 | A modeling on gate voltage dependence of series resistance for GaAs MESFET's and the parameter extraction utilizing the gate probe model. | 강광남; 이정일; 양진모; 임한조; 이유종 |
| 1990-01 | A simple model for parasitic resistances of LDD MOSFETS. | 강광남; 이정일; 이명복; 윤경식 |
| 1992-01 | A simple model for second substrate current hump in LDD MOSFETs. | 강광남; 이정일; M. B. Lee; K. S. Yoon; S. Hong |
| 1990-11 | A study on silicon/silicon dioxide interface by C-V techniques. | 강광남; 이정일; 이명복; 주병권; 김형곤; 오명환 |
| 1989-01 | A study on the extraction of mobility reduction parameters in short channel n-MOSFETs at room temperature. | 강광남; 이명복; 이정일 |
| 1991-01 | A study on the interface states and capacitance-voltage behavior of InP MIS diode fabricated by plasma assisted oxidation. | 강광남; 이정일; 이명복; 임한조; J. A. Baglio; N. Decola |
| 1991-01 | A study on the parasitic resistance of a short channel MOSFETs with lightly doped drain structure. | 강광남; 이정일; 이명복; 윤경식 |
| 2005-05-13 | AIGaAs 삽입층에 의한 InGaAs 양자점의 방사 파장 조정방법 | 박용주; 이정일; 한일기; 김은규; 최원준; 박세기 |
| 2006-03 | AlAs 습식산화와 열처리로 인한 InGaAs 양자점 레이저 구조의 intermixing효과에 관한 공간 분해 광학적 특성 | 황준석; 권봉준; 곽호상; 최재원; 조용훈; 조남기; 전헌수; 조운조; 송진동; 최원준; 이정일 |
| 2003-10 | ALE 방법에 의해 성장된 InAs/GaAs 양자점의 전자 구속 효과 및 광학적 특성 | 김지훈; 박용주; 박영민; 송진동; 신재철; 이정일; 김태환 |
| 1992-01 | AlGaAs/GaAs/AlGaAs 이중 이종집합 HEMT 구조에서의 2 차원 전자개스농도의 양자역학적 계산 . | 강광남; 이정일; 윤경식 |
| 1995-01 | An optimal design of 4x4 optical matrix switch. | 강광남; 이정일; 조규만; 김회종; 최원준; 이석; 홍성철 |
| 1991-01 | Behavior of C-V hysteresis in MOCVD-grown Al2O3/p-InP MIS diodes. | 강광남; 이정일; C. H. Kim; T. W. Kim; H. Lim; 최병두 |
| 1992-02-19 | Capacitively-coupled measurements on the frequency dependent diagonal magnetoconductance of a 2DEG in GaAs heterostructure in the quantum Hall regime | 이정일; P. J. Stiles; M. Heiblum |
| 1995-12 | Carrier lifetimes in dielectric disordered GaAs/AlGaAs multiple quantum well with SiN capping layers. | 김용; 최원준; 이석; 우덕하; 김상국; 김선호; 이정일; 강광남; 추장희; 조규만; S. K. Yu; J. C. Seo; D. Kim |
| 1987-01 | Characterization of η -channel Ge MOSFETs with gate insulators formed by high pressure thermal oxidation. | 이정일; E. E. Crisman; P. J. Stiles; O. J. Gregory |
| 1996-01 | Characterization of interfacial reaction in (Al//2O//3)//p/6061 Al composite. | 이재철; 김긍호; 이정일; 이호인 |
| 1992-01 | Clear observation of the 2DEG in InGaAs/InAlAs quantum well. | 강광남; 이정일; T. W. Kim; M. Jung; K. H. Yoo; G. Ihm; S. J. Lee; H. L. Park |
| 2022-09 | Delivery of nitric oxide-releasing silica nanoparticles for in vivo revascularization and functional recovery after acute peripheral nerve crush injury | 이정일; 박지헌; 김영림; 권기학; 황혜원; 정가영; 이주엽; 선정윤; 박종웅; 신재호; 옥명렬 |
| 1993-01 | Effective g-factor enhancement in two-dimensional electron gas in GaAs/AlGaAs heterostructures in the quantum hall regime. | 강광남; 이정일; K. S. Kim; B. D. Choe; S. J. Lee; K. S. Lee |
| 1991-01 | Effects of velocity saturation in the LDD region on the characteristics of short channel LDD MOSFETs. | 강광남; 이정일; 이명복; 윤경식; 임기영 |
| 1992-01 | Electrical subbands in a both-side-modulation-doped In//0//.//5//2Al//0//.//4//8As/In//0//.//6//5Ga//0//.//3//5As single quantum well. | 강광남; 이정일; T. W. Kim; K. S. Lee; K. H. Yoo; G. Ih |
| 1991-01 | Electrical subbands in an In0.65Ga0.35As quantum well between In0.52Al0.48As and In0.53Ga0.47As potential barriers. | 강광남; 이정일; T. W. Kim; K. S. Lee; K. H. Yoo |
| 1990-11 | Fabrication and characterization of miniature Si pressure sensor. | 강광남; 이정일; 이명복; 주병권; 김형곤; 오명환 |
| 1993-01 | Fabrication and characterization of silicon device for flow measurement (I) | 강광남; 이정일; 오명환; 김형곤; 주병권; 이명복 |
| 1991-01 | GaAs 기판상에 구성된 방향성 결합기를 이용한 진행파형 광변조기의 특성 최적화에 관한 연구 . | 강광남; 이정일; 최원준; 홍성철; 한일기 |
| 2009-07 | GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성 | 김광웅; 조남기; 송진동; 이정일; 박정호; 이유종; 최원준 |
| 2007-07 | GaAs/AlGaAs 3-Quantum Well 양자폭포레이저 (Quantum Cascade Lasers)에서 허용되는 에피정밀도를 위한 활성영역 모의실험 | 한일기; 이혜진; Cheng Ming Lee; 이정일; 김문덕 |
