| 1997-08-08 | CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김성일; 김무성 |
| 1998-11-21 | CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김성일; 김무성 |
| 1999-02-02 | CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김성일; 김무성 |
| 1997-11-20 | GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작 방법 | 민석기; 이민석; 김용; 김무성 |
| 2000-05-25 | III족 금속원소 질화물의 미세결정 제조방법 및 장치 | 박용주; 민석기; 김은규 |
| 1999-10-21 | 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조방법 | 김은규; 최원철; 민석기 |
| 1998-09-01 | 갈륨비소반도체와 산화루테늄 접촉베리어의 열적안정화 방법 | 김은규; 박용주; 민석기 |
| 1998-12-05 | 게이트의 미세구조 패시베이션에 의한전계효과트랜지스터의 성능 개선방법 | 민석기; 황성우; 김은규 |
| 1999-10-21 | 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광및 전류차단구조 및 그 제조 방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김용 |
| 1999-06-16 | 고밀도 양자점 어레이 형성방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김춘근; 김용 |
| 1998-10-27 | 고출력양자세선어레이 레이저다이오드 구조 제작방법 | 민석기; 김은규; 김태근 |
| 1998-12-24 | 고출력양자세선어레이 레이저다이오드 구조 제작방법 | 민석기; 김은규; 김태근 |
| 1999-06-16 | 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김용 |
| 1999-11-12 | 광전소자의 전류차단구조 형성방법 | 김성일; 손창식; 민석기; 김용; 김은규; 박영균 |
| 1992-08-04 | 디렉트 모니터링 전기로를 이용한 수직온도 구배 냉각 화합물 반도체 단결정 성장장치 | 민석기; 박승철; 심광보; 박용주; 한철원 |
| 1995-11-08 | 디렉트 모니터링 전기로를 이용한 수직온도 구배 냉각 화합물 반도체 단결정 성장장치 | 민석기; 박승철; 심광보; 박용주; 한철원 |
| 1993-09-09 | 디렉트 모니터링 전기로를 이용한 수직온도 구배 냉각 화합물 반도체 단결정 성장장치 | 민석기; 박승철; 심광보; 박용주; 한철원 |
| 1995-11-08 | 디렉트 모니터링 전기로를 이용한 수평대역 용융 단결정 성장장치 | 민석기; 한철원; 박승철; 박용주 |
| 1993-11-04 | 디렉트 모니터링 전기로를 이용한 수평대역 용융 단결정 성장장치 | 민석기; 한철원; 박승철; 박용주 |
| 1992-08-25 | 디렉트 모니터링 전기로를 이용한 수평대역 용융 단결정 성장장치 | 민석기; 한철원; 박승철; 박용주 |
| 1991-12-10 | 디렉트 모니터링 전기로를 이용한 수평브리지만 단결정 성장장치 | 민석기; 한철원; 박승철 |
| 1990-09-18 | 디렉트 모니터링 전기로를 이용한 수평브리지만 단결정 성장장치 | 민석기; 한철원; 박승철 |
| 1995-03-23 | 디렉트 모니터링 전기로를 이용한 수평브리지만 단결정 성장장치 | 민석기; 한철원; 박승철 |
| 1993-02-16 | 디렉트 모니터링 전기로를 이용한 수평브리지만 단결정 성장장치 | 민석기; 한철원; 박승철 |
| 1999-05-24 | 반도체 금속박막의 배선방법 | 민석기; 권철순; 김용태 |
| 1999-03-30 | 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김용; 김무성 |
| 1998-09-01 | 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김용; 김무성 |
| 1998-03-13 | 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법 | 민석기; 김용; 김무성 |
| 1999-09-15 | 산화 알루미늄 갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김용 |
| 1999-06-16 | 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법 | 김성일; 박영균; 민석기; 김은규; 김춘근; 김용 |
