| 1992-01 | 4x4 matrix 광스위치의 설계에 관한 연구 . | 강광남; 최원준; 이유종; 홍성철; 이정일 |
| 1991-01 | A modeling on gate voltage dependence of series resistance for GaAs MESFET's and the parameter extraction utilizing the gate probe model. | 강광남; 이정일; 양진모; 임한조; 이유종 |
| 1990-01 | A simple model for parasitic resistances of LDD MOSFETS. | 강광남; 이정일; 이명복; 윤경식 |
| 1992-01 | A simple model for second substrate current hump in LDD MOSFETs. | 강광남; 이정일; M. B. Lee; K. S. Yoon; S. Hong |
| 1987-01 | A study of Au-Ge/Ag/Au ohmic contact on n-type (100) GaAs epi-wafer. | 강광남; 권철순; 최인훈; 김무성; 정지채 |
| 1990-11 | A study on silicon/silicon dioxide interface by C-V techniques. | 강광남; 이정일; 이명복; 주병권; 김형곤; 오명환 |
| 1989-01 | A study on the extraction of mobility reduction parameters in short channel n-MOSFETs at room temperature. | 강광남; 이명복; 이정일 |
| 1991-01 | A study on the interface states and capacitance-voltage behavior of InP MIS diode fabricated by plasma assisted oxidation. | 강광남; 이정일; 이명복; 임한조; J. A. Baglio; N. Decola |
| 1991-01 | A study on the parasitic resistance of a short channel MOSFETs with lightly doped drain structure. | 강광남; 이정일; 이명복; 윤경식 |
| 1992-01 | AlGaAs/GaAs/AlGaAs 이중 이종집합 HEMT 구조에서의 2 차원 전자개스농도의 양자역학적 계산 . | 강광남; 이정일; 윤경식 |
| 1995-01 | An optimal design of 4x4 optical matrix switch. | 강광남; 이정일; 조규만; 김회종; 최원준; 이석; 홍성철 |
| 1991-01 | Behavior of C-V hysteresis in MOCVD-grown Al2O3/p-InP MIS diodes. | 강광남; 이정일; C. H. Kim; T. W. Kim; H. Lim; 최병두 |
| 1995-12 | Carrier lifetimes in dielectric disordered GaAs/AlGaAs multiple quantum well with SiN capping layers. | 김용; 최원준; 이석; 우덕하; 김상국; 김선호; 이정일; 강광남; 추장희; 조규만; S. K. Yu; J. C. Seo; D. Kim |
| 1992-01 | Clear observation of the 2DEG in InGaAs/InAlAs quantum well. | 강광남; 이정일; T. W. Kim; M. Jung; K. H. Yoo; G. Ihm; S. J. Lee; H. L. Park |
| 1975-01 | Composition dependence of the transition temperatures of the binary mixtures of the Schiff base liquid crystals : MBBA/EBBA and MBBA/BBCA. | 강광남; 정원 |
| 1974-01 | Display device 에의 액정의 응용 | 강광남; 정원 |
| 1993-01 | Effective g-factor enhancement in two-dimensional electron gas in GaAs/AlGaAs heterostructures in the quantum hall regime. | 강광남; 이정일; K. S. Kim; B. D. Choe; S. J. Lee; K. S. Lee |
| 1991-01 | Effects of velocity saturation in the LDD region on the characteristics of short channel LDD MOSFETs. | 강광남; 이정일; 이명복; 윤경식; 임기영 |
| 1992-01 | Electrical subbands in a both-side-modulation-doped In//0//.//5//2Al//0//.//4//8As/In//0//.//6//5Ga//0//.//3//5As single quantum well. | 강광남; 이정일; T. W. Kim; K. S. Lee; K. H. Yoo; G. Ih |
| 1991-01 | Electrical subbands in an In0.65Ga0.35As quantum well between In0.52Al0.48As and In0.53Ga0.47As potential barriers. | 강광남; 이정일; T. W. Kim; K. S. Lee; K. H. Yoo |
| 1990-01 | Electron irradiation induced defects in GaAs - I. Simple intrinsic defects. | 강광남; 박해용; 임한조 |
| 1990-11 | Fabrication and characterization of miniature Si pressure sensor. | 강광남; 이정일; 이명복; 주병권; 김형곤; 오명환 |
| 1993-01 | Fabrication and characterization of silicon device for flow measurement (I) | 강광남; 이정일; 오명환; 김형곤; 주병권; 이명복 |
| 1987-01 | Fabrication of 1um gate GaAs MESFET and analysis of correlation between dc characteristics and channel parameters. | 강광남; 엄경숙; 이유종 |
| 1991-08 | Filling-up effect of micro-gap by interfacial oxide growing in SFB process | 강광남; 주병권; 이재옥; 김철주; 오명환; 차균현; 이명복 |
| 1991-01 | GaAs 기판상에 구성된 방향성 결합기를 이용한 진행파형 광변조기의 특성 최적화에 관한 연구 . | 강광남; 이정일; 최원준; 홍성철; 한일기 |
| 1988-01 | Hot-carrier-induced deradation in submicron MOS transistors. | 강광남; 최병진 |
| 1994-01 | Impurity free quantum well disordering by rapid thermal annealing (RTA) using plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) SiN//x capping layer. | 강광남; 최원준; 이석; 김용; 김상국; 김회종; 우덕하; 조규만 |
| 1992-01 | In0.52Al0.48As 장벽사이에서의 In0.65GaO0.35As/In0.53Ga0.47As 양자우물에서의 부띠에너지와 파동함수의 결정 | 강광남; 이정일; 김태환; 강승언; 이규석 |
| 1996-10 | Instability of anodically sulfur-treated InP. | 김은규; 민석기; 우덕하; 한일기; 이정일; 강광남; H. J. Kim; S. H. Kim; H. Lim; H. L. Park |
