Browsing byAuthor강광남

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1992-014x4 matrix 광스위치의 설계에 관한 연구 .강광남; 최원준; 이유종; 홍성철; 이정일
1991-01A modeling on gate voltage dependence of series resistance for GaAs MESFET's and the parameter extraction utilizing the gate probe model.강광남; 이정일; 양진모; 임한조; 이유종
1990-01A simple model for parasitic resistances of LDD MOSFETS.강광남; 이정일; 이명복; 윤경식
1992-01A simple model for second substrate current hump in LDD MOSFETs.강광남; 이정일; M. B. Lee; K. S. Yoon; S. Hong
1987-01A study of Au-Ge/Ag/Au ohmic contact on n-type (100) GaAs epi-wafer.강광남; 권철순; 최인훈; 김무성; 정지채
1990-11A study on silicon/silicon dioxide interface by C-V techniques.강광남; 이정일; 이명복; 주병권; 김형곤; 오명환
1989-01A study on the extraction of mobility reduction parameters in short channel n-MOSFETs at room temperature.강광남; 이명복; 이정일
1991-01A study on the interface states and capacitance-voltage behavior of InP MIS diode fabricated by plasma assisted oxidation.강광남; 이정일; 이명복; 임한조; J. A. Baglio; N. Decola
1991-01A study on the parasitic resistance of a short channel MOSFETs with lightly doped drain structure.강광남; 이정일; 이명복; 윤경식
1992-01AlGaAs/GaAs/AlGaAs 이중 이종집합 HEMT 구조에서의 2 차원 전자개스농도의 양자역학적 계산 .강광남; 이정일; 윤경식
1995-01An optimal design of 4x4 optical matrix switch.강광남; 이정일; 조규만; 김회종; 최원준; 이석; 홍성철
1991-01Behavior of C-V hysteresis in MOCVD-grown Al2O3/p-InP MIS diodes.강광남; 이정일; C. H. Kim; T. W. Kim; H. Lim; 최병두
1995-12Carrier lifetimes in dielectric disordered GaAs/AlGaAs multiple quantum well with SiN capping layers.김용; 최원준; 이석; 우덕하; 김상국; 김선호; 이정일; 강광남; 추장희; 조규만; S. K. Yu; J. C. Seo; D. Kim
1992-01Clear observation of the 2DEG in InGaAs/InAlAs quantum well.강광남; 이정일; T. W. Kim; M. Jung; K. H. Yoo; G. Ihm; S. J. Lee; H. L. Park
1975-01Composition dependence of the transition temperatures of the binary mixtures of the Schiff base liquid crystals : MBBA/EBBA and MBBA/BBCA.강광남; 정원
1974-01Display device 에의 액정의 응용강광남; 정원
1993-01Effective g-factor enhancement in two-dimensional electron gas in GaAs/AlGaAs heterostructures in the quantum hall regime.강광남; 이정일; K. S. Kim; B. D. Choe; S. J. Lee; K. S. Lee
1991-01Effects of velocity saturation in the LDD region on the characteristics of short channel LDD MOSFETs.강광남; 이정일; 이명복; 윤경식; 임기영
1992-01Electrical subbands in a both-side-modulation-doped In//0//.//5//2Al//0//.//4//8As/In//0//.//6//5Ga//0//.//3//5As single quantum well.강광남; 이정일; T. W. Kim; K. S. Lee; K. H. Yoo; G. Ih
1991-01Electrical subbands in an In0.65Ga0.35As quantum well between In0.52Al0.48As and In0.53Ga0.47As potential barriers.강광남; 이정일; T. W. Kim; K. S. Lee; K. H. Yoo
1990-01Electron irradiation induced defects in GaAs - I. Simple intrinsic defects.강광남; 박해용; 임한조
1990-11Fabrication and characterization of miniature Si pressure sensor.강광남; 이정일; 이명복; 주병권; 김형곤; 오명환
1993-01Fabrication and characterization of silicon device for flow measurement (I)강광남; 이정일; 오명환; 김형곤; 주병권; 이명복
1987-01Fabrication of 1um gate GaAs MESFET and analysis of correlation between dc characteristics and channel parameters.강광남; 엄경숙; 이유종
1991-08Filling-up effect of micro-gap by interfacial oxide growing in SFB process강광남; 주병권; 이재옥; 김철주; 오명환; 차균현; 이명복
1991-01GaAs 기판상에 구성된 방향성 결합기를 이용한 진행파형 광변조기의 특성 최적화에 관한 연구 .강광남; 이정일; 최원준; 홍성철; 한일기
1988-01Hot-carrier-induced deradation in submicron MOS transistors.강광남; 최병진
1994-01Impurity free quantum well disordering by rapid thermal annealing (RTA) using plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) SiN//x capping layer.강광남; 최원준; 이석; 김용; 김상국; 김회종; 우덕하; 조규만
1992-01In0.52Al0.48As 장벽사이에서의 In0.65GaO0.35As/In0.53Ga0.47As 양자우물에서의 부띠에너지와 파동함수의 결정강광남; 이정일; 김태환; 강승언; 이규석
1996-10Instability of anodically sulfur-treated InP.김은규; 민석기; 우덕하; 한일기; 이정일; 강광남; H. J. Kim; S. H. Kim; H. Lim; H. L. Park