| 2006-09 | 1.5 mm InGaAs/InGaAsP/InP 양자점 Superluminescent Diode의 광 특성 | 유영채; 이정일; 김경찬; 김은규; 김길호; 한일기 |
| 1996-01 | 100 ㎚ electron beam lithography using a modified scanning electron microscope. | 김성일; 민석기; 김은규; 최범호; 황성우; 정석구; 김태근 |
| 2001-01 | 1천 배나 빠른 차세대 광컴퓨터 : 신개념 컴퓨터 | 김은규 |
| 1996-01 | A formation of carbon micro-pattern by laser-induced deposition with CCl//2F//2 gas. | 김성일; 민석기; 김은규; 박세기; 이천 |
| 1998-09 | A study of the optimal conditions of the metal electrode patterns for efficiency improvement of AlGaAs/GaAs heteroface solar cells | 김효진; 박영균; 김성일; 이대욱; 김은규; 김태환 |
| 1988-05 | Abnormal behavior of midgap electron trap in HB-GaAs during thermal annealing. | 김은규; 민석기; 조훈영 |
| 2005-05-13 | AIGaAs 삽입층에 의한 InGaAs 양자점의 방사 파장 조정방법 | 박용주; 이정일; 한일기; 김은규; 최원준; 박세기 |
| 1996-07 | CBr4 가스를 사용하여 (100) 및 2 ˚ off (100) GaAs 기판 위에 성장한 탄소도핑된 GaAs 에피층의 전기적 성질 | 손창식; 김성일; 민병돈; 김은규; 민석기; 최인훈 |
| 1996-07 | Characteristics of a nitrogen gas-pulsed electron cyclotron resonance plasma | 박용주; 김은규; 민석기; K. Ozasa; P. O'Keeffe; Y. Aoyagi |
| - | Characteristics of InAs quantum dot superluminescent diodes utilizing trench structures | Youngchae, Yoo; Han, Il Ki; Lee, Jung Il; 이주인; 김은규 |
| 1995-03 | Characteristics of Ru and RuO₂ schottky contacts on hydrogenated N-type GaAs. | 박용주; 김은규; 이종근; 최원철; 민석기 |
| 1996-01 | Characteristics of the plasma-induced GaAs nitride layer and its application for the selective area growth. | 김성일; 민석기; 김은규; 박영주; 최원철; 이상훈; 손맹호 |
| 1987-12 | Computer simulation analysis for the overlapped DLTS signal of midgap electron traps in HB-GaAs. | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1996-01 | Cross sectional analysis of laser etched groove on AlGaAs/GaAs multilayers. | 김성일; 민석기; 박세기; 김은규; 이천 |
| 1988-03 | Deep trap studies in HB-GaAs using DLTS and optical DLTS. | 김은규; 조훈영; 민석기; S. C. Park; C. W. Han |
| 1990-03 | Deep traps in GaAs layers grown on (100)Si substrates by Mo(VI). | 김용; 조훈영; 김은규; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기 |
| 1997-05 | Dependence of the electrical properties of carbon-doped GaAs and AlGaAs epilayers on the surface crystallographica orientation | 손창식; 박영균; 이승백; 김용; 김은규; 최인훈; 김성일; 민석기 |
| - | Effect of local magnetic field on the transport properties of GaMnAs | 서주영; Chang, Joonyeon; 김은규; M. Saphonin; V.L. Mironov; A.A. Fraerman |
| 2001-08 | Effects of GaN buffer layer thickness on characteristics of GaN epilayer | 조용석; 고의관; 박용주; 김은규; 황성민; 임시종; 변동진 |
| 1996-01 | Effects of hydrogen plasma on the formation of self-organized InAs-quantum dot structure. | 박용주; 김은규; 민석기; K. Ozasa; Y. Aoyagi |
| 1999-11 | Efficiency enhancement of quantum-structure solar cells utilizing InxGa1-xAs/GaAs multiple quantum wells | 김효진; 박영균; 박용주; 김성일; 김은규; 김태환 |
| 1988-12 | EL2 준위에 대한 Photocapacitance quenching 과 열회복 현상 : EL2(III). | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1999-09 | Electrical characteristics of the native oxide formed by using anodic oxidation with thermal treatment | 이주식; 박용주; 손맹호; 김은규; 염태호 |
| 1995-11 | Electrical property of TiO2 dielectric thin films grown on n-type InP(100) substrates by low-pressure MOCVD | 김은규; 손맹호; 한영기; 왕채현; 염상섭; 임종수; 민석기 |
| 1989-10 | Excimer 레이저 annealing 된 HB-GaAs 내의 깊은 준위 연구 . | 김은규; 조훈영; 김성일; 민석기 |
| 1992-06 | Excimer laser illumination 에 따른 실리콘반도체 특성변화 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 최원철; 박종윤; 김현수 |
| 1996-10 | Fabrication and characterization modulation-doped-field-effect-transistors with antidot-patterned passivation layers. | 김은규; 민석기; 김무성; 황성우; 김태근; 한철구; 박정호; Y. S. Yu; W. I. Ha |
| 1999-07 | Facet evolution as a function of the surface migration length of Al0.5Ga0.5As/GaAs multilayers grown on mesa-patterned GaAs substrates | 김효진; 박영균; 김성일; 김은규; 김태환 |
| 2002-03 | Ga2O3 단결정의 질화 기구 연구 | 오청식; 박용주; 김은규; 염태호; 유영문 |
| 1997-09 | GaAs 표면의 질화 및 결함생성에 관한 연구 | 박용주; 민석기; 김은규 |
