| 1988-03 | A leakage current effect on ICTS spectrum for EL2 levels. | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1988-05 | Abnormal behavior of midgap electron trap in HB-GaAs during thermal annealing. | 김은규; 민석기; 조훈영 |
| 2015-05 | Behavior of deep level defects on voltage-induced stress of Cu(In,Ga)Se2 solar cells | D.W. Lee; S.E. Cho; 정증현; 조훈영 |
| 1991-01 | Characterization for GaAs/AlGaAs superlattice grown by LPMOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; 조훈영 |
| 1987-12 | Computer simulation analysis for the overlapped DLTS signal of midgap electron traps in HB-GaAs. | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1990-03 | Deep electron traps in GaAs layers grown on (100)Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition. | 김은규; 조훈영; 김용; 김현수; 조성호; 민석기; J. H. Yoon; M. S. Kim |
| 1990-02 | Deep levels in GaAs grown on Si during rapid thermal annealing. | 김용; 조훈영; 김은규; 윤주훈; 조성호; 민석기 |
| 1991-07 | Deep levels in Si and Be-coimplanted GaAs. | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1991-01 | Deep levels in Si-implanted and rapid thermal annealed semi-insulating GaAs. | 김은규; 조훈영; 민석기; H. S. Lee; T. W. Kang; C. Y. Hong |
| 1990-08 | Deep levels in undoped bulk InP after rapid thermal annealing. | 김은규; 조훈영; 민석기; J. H. Yoon; Y. L. Jung; W. H. Lee |
| 1988-03 | Deep trap studies in HB-GaAs using DLTS and optical DLTS. | 김은규; 조훈영; 민석기; S. C. Park; C. W. Han |
| 1990-03 | Deep traps in GaAs layers grown on (100)Si substrates by Mo(VI). | 김용; 조훈영; 김은규; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기 |
| 2001-05 | Defect states in diluted magnetic semiconductors : Ga(Mn,Fe)As | 오형택; 박찬진; 조훈영; 강태원; 박용주; R. Moriya; H. Munekata |
| 1991-01 | Defect states in silicon after laser processing. | 김성일; 민석기; 최원철; 김은규; 조훈영; 김춘근 |
| 1990-02 | Effects of leakage current on isothermal capacitance transient spectroscopy signals for midgap levels in GaAs. | 김은규; 조훈영; 조성호; 민석기; Susumu Namba |
| 1988-12 | EL2 준위에 대한 Photocapacitance quenching 과 열회복 현상 : EL2(III). | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1990-11 | Electric-field-enhanced dissociation of the hydrogen-Si donor complex in GaAs. | 김은규; 조훈영; 민석기; K. J. Chang; 이주천 |
| 2013-11 | Electrical and optical characterization of the influence of chemical bath deposition time and temperature on CdS/Cu(In,Ga)Se2 junction properties in Cu(In,Ga)Se2 solar cells | 서한규; 옥은아; 김원목; 박종극; 성태연; 이동화; 조훈영; 정증현 |
| 1993-01 | Epitaxial growth for GaAs IC. | 박용주; 김무성; 김용; 조훈영; 김성일; 민석기; 엄경숙 |
| 1989-10 | Excimer 레이저 annealing 된 HB-GaAs 내의 깊은 준위 연구 . | 김은규; 조훈영; 김성일; 민석기 |
| 1992-06 | Excimer laser illumination 에 따른 실리콘반도체 특성변화 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 최원철; 박종윤; 김현수 |
| 2012-08 | Experimental study of the effect of CBD-CdS process on the formation of CdS/CIGS junction in CIGS photovoltaics | 서한규; 윤관희; 옥은아; 김진수; 김원목; 박종극; 백영준; 성태연; 이동화; 조훈영; 정증현 |
| 1988-04 | HB-GaAs 내의 deep electron trap 들에 대한 열방출률과 활성화 에너지의 전기장 의존성 . | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1987-12 | HB-GaAs 에서의 deep level 과 EL2 origin 에 관한 연구 : EL2(II). | 김은규; 조훈영; 박승철; 김용태; 민석기 |
| 1990-01 | High uniform growth of epilayers by LPMOCVD. | 김무성; 김용; 조훈영; 강명주; 김성일; 민석기 |
| 1991-05 | Hydrogenation effect on electrical and optical properties of GaAs epilayers grown on Si substrates by MOCVD. | 김용; 김은규; 조훈영; 김현수; 김무성; 민석기 |
| 1988-02 | Isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) 방법을 이용한 금속과 반도체 (GaAs) 접합의 계면상태에 관한 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 한철원; 박승철 |
| 1992-08 | Laser beam process 에 의해 GaAs 에 형성된 결함상태 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 최원철; 박종윤; 김현수 |
| 2007-03 | Lateral photoconductivity and bound states of self-assembled Ge/Si quantum dots | 이승웅; 김태근; K Hirakawa; 김진상; 최석호; 조훈영 |
| 1994-02 | MBE 성장온도에 따른 GaAs 및 AlGaAs 의 전기광학적 특성 . | 김은규; 이승웅; 조훈영; 박정호; 민석기 |
