| 1988-05 | Abnormal behavior of midgap electron trap in HB-GaAs during thermal annealing. | 김은규; 민석기; 조훈영 |
| 1987-12 | Computer simulation analysis for the overlapped DLTS signal of midgap electron traps in HB-GaAs. | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1988-03 | Deep trap studies in HB-GaAs using DLTS and optical DLTS. | 김은규; 조훈영; 민석기; S. C. Park; C. W. Han |
| 1990-03 | Deep traps in GaAs layers grown on (100)Si substrates by Mo(VI). | 김용; 조훈영; 김은규; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기 |
| 1988-12 | EL2 준위에 대한 Photocapacitance quenching 과 열회복 현상 : EL2(III). | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1989-10 | Excimer 레이저 annealing 된 HB-GaAs 내의 깊은 준위 연구 . | 김은규; 조훈영; 김성일; 민석기 |
| 1992-06 | Excimer laser illumination 에 따른 실리콘반도체 특성변화 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 최원철; 박종윤; 김현수 |
| - | Experimental study of the effect of CBD-CdS process on the formation of CdS/CIGS junction in CIGS photovoltaics | Seo Han-kyu; Kwan-Hee Yoon; Ok Eun a; Kim Jin-soo; KIM, WON MOK; JONG-KEUK, PARK; Baik, Young Joon; 성태연; 이동화; 조훈영; Jeung-hyun Jeong |
| 1993-01 | GaAs 집적회로 제조를 위한 에피 성장 연구 | 박용주; 김무성; 김용; 조훈영; 김성일; 민석기; 엄경숙 |
| 1988-04 | HB-GaAs 내의 deep electron trap 들에 대한 열방출률과 활성화 에너지의 전기장 의존성 . | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1987-12 | HB-GaAs 에서의 deep level 과 EL2 origin 에 관한 연구 : EL2(II). | 김은규; 조훈영; 박승철; 김용태; 민석기 |
| 1988-02 | Isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) 방법을 이용한 금속과 반도체 (GaAs) 접합의 계면상태에 관한 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 한철원; 박승철 |
| 1992-08 | Laser beam process 에 의해 GaAs 에 형성된 결함상태 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 최원철; 박종윤; 김현수 |
| 1994-02 | MBE 성장온도에 따른 GaAs 및 AlGaAs 의 전기광학적 특성 . | 김은규; 이승웅; 조훈영; 박정호; 민석기 |
| 1989-10 | MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si 의 깊은 준위에 관한 연구 . | 김용; 김은규; 조훈영; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기 |
| 1991-02 | MOCVD 법으로 Si 기판위에 성장된 GaAs 에피층의 수소화 효과 . | 김용; 김무성; 김은규; 조훈영; 김현수; 민석기 |
| 1990-12 | Photoinduced current transient spectroscopy (PICTS). | 김은규; 조훈영; 홍치유; 민석기; 이호섭; 강태원 |
| 1991-06 | Role of hydrogen atom on metastable defects in GaAs. | 김은규; 조훈영; 민석기; C. Lee |
| 1987-12 | RTA 에 따른 HB-GaAs 에서의 midgap level 들에 관한 isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) 연구 : EL2(I). | 김은규; 조훈영; 한철원; 김춘근; 민석기 |
| 1991-04 | RTA 에 의한 Si 내의 thermal donors 와 깊은 준위의 거동 . | 김은규; 조훈영; 김춘근; 민석기; 김현수; 심기대; 박만장 |
| 1990-02 | Si 이온주입된 반절연성 GaAs:Cr 의 열처리에 따른 깊은 준위연구 . | 김은규; 조훈영; 홍치유; 민석기; 이호섭; 강태원 |
| 1991-08 | Si 과 Be 이온이 공동주입된 GaAs 에 대한 전기 및 광학적 특성연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 이호섭; 강태원; 홍치유 |
| 1988-12 | Twinned GaAs 에 대한 전기적 특성연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기 |
| 1989-02 | VPE 법으로 성장한 In//xGa//1//-//xAs(x<0.035)/GaAs 에피층내의 깊은 준위 전자덫 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 윤주훈; 김현수; 조성호 |
| 1988-12 | 다결정 GaAs 에 대한 전기적 특성 연구 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 한철원; 박승철 |
| 1989-02 | 무전위 GaAs:In 의 급속열처리에 따른 깊은 준위 전자덫 연구 . | 김은규; 조훈영; 박일우; 민석기; 심광보; 한철원; 조성호 |
| 1991-04 | 수소화에 따른 N 형 GaAs 의 전기적 특성 변화 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 박승철; 김현수 |
| 1988-07 | 수소화에 의한 GaAs 내의 deep level 생성 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 김재붕; 장진 |
| 1991-08 | 열처리된 InP 내 깊은 준위 전자덫들의 포획단면적과 포획장벽 . | 김은규; 조훈영; 민석기; 정영래; 이완호 |
| 1990-02 | 열처리된 InP-MIS 구조 시료에 대한 깊은 준위 결함상태 . | 김은규; 조훈영; 윤주훈; 민석기; 정영래; 이완호 |
