1993-01 | GaAs 집적회로 제조를 위한 에피 성장 연구 | 박용주; 김무성; 김용; 조훈영; 김성일; 민석기; 엄경숙 |
1996-01 | GaAs(100) 및 GaAs(311)A 기판위에 성장시킨 InGaAs 에피층의 격자변형에 관한 연구 | 손창식; 진현철; 한철구; 이정훈; 강준모; 김용; 김무성; 민석기; 김창수 |
1997-11-20 | GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작 방법 | 민석기; 이민석; 김용; 김무성 |
1989-04 | Growth and characterization of low-dislotation GaAs single crystal by the DM furnace | 박용주; 민석기; 김은규; 김용; 한철원; 심광보; 박승철 |
1988-09 | Heteroepitaxy of GaAs on silicon substrated by MOCVD. | 김용; 김무성; 김현수; 민석기 |
1994-01 | Impurity free quantum well disordering by rapid thermal annealing (RTA) using plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) SiN//x capping layer. | 강광남; 최원준; 이석; 김용; 김상국; 김회종; 우덕하; 조규만 |
1988-08 | In/Ga alloy source 를 이용하여 VPE 법으로 성장한 In// χ Ga//1//-// χ As( χ | 김용; 한철원; 김현수; 민석기 |
1999-09 | Measurement of the crystallinity and the optical properties for wafer-fused GaAs epilayers on InP substrates | 황성민; 이주영; 김은규; 강동훈; 최인훈; 김용 |
1996-01 | Micropattern generation by holographic lithography and fabrication of quantum wire array by MOCVD. | 임현식; 김용; 김무성; 민석기; 김태근; 조성우; 박정호 |
1993-03 | MOCVD 기법으로 제작한 AlyGa1-yAs/Al χ Ga1- χ As/AlyGa1-yAs strip-loaded 도파도의 전파손실 측정 | 김용; 박경현; 최상삼; 김선호; 변영태 |
1989-10 | MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si 의 깊은 준위에 관한 연구 . | 김용; 김은규; 조훈영; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기 |
1989-06 | MOCVD 법에 의하여 성장한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 고립된 양자우물 구조의 특성평가 . | 김용; 김무성; 엄경숙; 민석기 |
1991-01 | MOCVD 법에 의한 delta-doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 . | 김용; 김무성; 강명구; 오환술; 엄경숙; 민석기 |
1996-09 | MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과 | 김성일; 김무성; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규; 민석기 |
1991-02 | MOCVD 법으로 Si 기판위에 성장된 GaAs 에피층의 수소화 효과 . | 김용; 김무성; 김은규; 조훈영; 김현수; 민석기 |
1988-11 | MOCVD 법으로 성장한 초격자구조의 X- 선 이결정법에 의한 해석 . | 김용; 김무성; 엄경숙; 민석기 |
1990-02 | MOCVD 에 의한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 HEMT 구조의 성장 . | 김용; 김무성; 엄경숙; 김성일; 민석기 |
1994-01 | Novel facet evolution of carbon-doped AlGaAs/GaAs multilayers on nonplanar substrate using CCl//4 grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 박양근; 안준오 |
1995-01 | Plasma effect in dielectric cap quantum well disordering using plasma enhanced chemical vapor deposited SiN capping layer. | 이석; W. J. Choi; J. Zhang; 김용; S. K. Kim; 이정일; 강광남; K. Cho |
1998-05 | Properties of wafer-fused In0.2Ga0.8As/GaAs and InP/GaAs heterointerfaces | 최창학; 황성민; 김용; 김은규; 민석기; 남산; 변재동 |
1995-03 | Scanning tunneling microscopy를 이용한 Nanometer 크기의 구조제작에 관한 연구 | 김용; 김희진; 김무성; 민석기 |
1990-04 | Stress released layers formed by pulsed ruby laser annealing on GaAs-on-Si. | 김용; 김무성; KIM, EUN KYU; 김현수; 민석기; 이현우; 김재관; 이주천 |
1992-09 | Strip-loaded 반도체 도파로에서 Bend 높이에 따른 복사손실 . | 김용; 변영태; 박경현; 김선호; 최상삼 |
1988-10 | Structural properties of GaAs grown on (100) Si substrates by MOCVD | 김용; 김무성; 김현수; 민석기 |
1993-01 | Study on the lateral island extension for growth-intersupted GaAs/Al0.3Ga0.7As single quantum wells grown by atmospheric-pressure metalorganic chemical vapor deposition | 김용; 김성일; 김무성; 민석기; 이민석; 김영덕 |
1992-01 | Temperature dependence of photoluminescence for GaAs/AlGaAs single quantum well grown by MOCVD with and without growth-interuption. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; 김영덕; 이민석 |
1993-01 | Temperature dependent PL characteristics of C-doped GaAs by LPMOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 이민석 |
1993-01 | The properties of the quantum wires grown on V-grooved Al//0//.//3Ga//0//.//7As/GaAs substrate at atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition. | 김성일; 김무성; 민석기; 이민석; 김용; 김영덕; 남산 |
1994-01 | The study of facet evolution of AlGaAs/GaAs and AlAs/GaAs multilayers on mesa-patterned GaAs substrate by MOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 박양근; 이민석; 박영주 |
1994-01 | The temperature dependence of the electrical properties of carbon doped GaAs. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성 |