| 1988-07 | (100) 실리콘 기판위에 MOCVD 법으로 성장된 GaAs 에피층의 결정구조 특성 . | 김용; 김무성; 김현수; 민석기 |
| 1998-10 | A self-assembled silicon quantum dot transistor operating at room temperature | 최범호; 황성민; I. G. Kim; 신형철; 김용; 김은규 |
| 1999-08 | A silicon self assembled quantum dot transistor operating at room temperature | 최범호; 황성우; I.G. Kim; 신형철; 김용; 김은규 |
| 1998-12 | A silicon self assembled quantum dot transistor operating at room temperature | 최범호; 황성우; I.G. Kim; 신형철; 김용; 김은규 |
| 1998-09 | AlGaAs/GaAs heteroface solar cells grown by metalorganic chemical vapor deposition | 박영균; 김성일; 김용; 김은규; 김용태; 민석기 |
| 1999-12 | Aligned In0.5Ga0.5As quantum dots on laser patterned GaAs substrate | 박세기; 현찬경; 민병돈; 김효진; 황성민; 김은규; H.K. Lee; 이천; 김용 |
| 1997-05 | Anharmonic decay of phonons in silicon from third-order density-functional perturbation theory | 박영균; 김성일; 김용; 김은규; 민석기 |
| 1997-11 | Anharmonic decay of phonons in silicon from third-order density-functional perturbation theory | 박영균; 김성일; 김용; 김은규; 민석기 |
| 1998-02 | Anodic-oxide-induced interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells | Shu Yuan; 김용; H. H. Tan; C. Jagadish; P. T. Burke; L. V. Dao; M. Gal; M. C. Y. Chan; E. H. Li; J. Zou; D. Q. Cai; D. J. H. Cockayene; R. M. Cohen |
| 1988-10 | Anomalous conduction band density of state in AlGaAs alloys. | 김용; 김무성; 민석기 |
| 1994-01 | Atomic force microcopy를 이용한 Al0.5Ga0.5As/GaAs 다층 에피층구조의 단면관찰에 관한 연구 | 김용; 김희진; 김재성; 김무성; 민석기 |
| 1992-07 | Behavior of the two-dimensional electron gas in Si delta-doped GaAs grown by atmospheric MOCVD. | 김용; 김태환; 김무성; 민석기 |
| 1992-01 | Carbon doping characteristics in GaAs grown by LPMOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; C. J. Kim |
| 1993-01 | Carbon doping characteristics of GaAs and Al//0//.//3Ga//0//.//7As using CCl//4 grown by atmospheric pressure MOCVD. | 손창식; 김성일; 김용; 이민석; 김무성; 민석기; 곽명현; 마동성 |
| 1994-08 | Carbon doping characteristics of GaAs and AlGaAs grown by MOCVD using CCl4 | 김용; 김성일; 김무성; 김춘근; 이주천; 민석기 |
| 1993-01 | Carbon doping properties of InGaAs grown by atmospheric pressure MOVPE using CCl//4. | 손창식; 김성일; 김용; 이민석; 민석기; 김무성; 최인훈 |
| 1997-10 | Carbon incorporation into GaAs epilayers grown on high-index GaAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition | 손창식; 김성일; 김용; 박영균; 김은규; 민석기; 최인훈 |
| 1995-12 | Carrier lifetimes in dielectric disordered GaAs/AlGaAs multiple quantum well with SiN capping layers. | 김용; 최원준; 이석; 우덕하; 김상국; 김선호; 이정일; 강광남; 추장희; 조규만; S. K. Yu; J. C. Seo; D. Kim |
| 1994-01 | CCl4 가스를 이용한 대기압 MOCVD로 성장시킨 InGaAs에서의 탄소도핑 특성 | 김용; 손창식; 김성일; 이민석; 김무성; 최인훈; 민석기 |
| 1990-01 | Characteristics of C-doped GaAs and critical layer thickness. | 김성일; 엄경숙; 김용; 김무성; 민석기; 곽명현; 마동성 |
| 1993-01 | Characteristics of heavily carbon doped GaAs by LPMOCVD and critical layer thickness. | 김용; 김성일; 엄경숙; 이주천; 곽명현; 마동성; 김무성; 민석기 |
| 1991-01 | Characterization for GaAs/AlGaAs superlattice grown by LPMOCVD. | 김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; 조훈영 |
| 1991-01 | Characterization of a MOCVD grown GaAs/AlGaAs superlattice using spectroscopic ellipsometry. | 김용; 김무성; 김상열; 엄경숙; 민석기 |
| 1996-08 | Control of GaAs lateral growth rate by CBr4 during metalorganic chemical vapor deposition on patterned substrates | 김성일; 김무성; 김용; 손창식; 황성민; 민병돈; 김은규; 민석기 |
| 1995-01 | Control of the lateral growth rate during MOCVD growth on patterned GaAs substrates with CCl//4. | 김성일; 김무성; 민석기; 김용 |
| 1995-02 | Cross-sectional observation of NaClO stain-etched AlGaAs/GaAs multilayer by AFM. | 김용; 김희진; 김재성; 김무성; 민석기 |
| 1997-02 | Crystallographic orientation dependence of carbon incorporation into GaAs epilayers | 손창식; 김성일; 김용; 박영균; 민병돈; 황성민; 김은규; 민석기; 최인훈 |
| 1997-04 | Crystallographic orientation dependence of carbon incorporationin to GaAs epilayers using CBr ₄ and CCl ₄ | 손창식; 김성일; 김용; 황성민; 박영균; 김은규; 민석기; 최인철 |
| 1990-03 | Deep electron traps in GaAs layers grown on (100)Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition. | 김은규; 조훈영; 김용; 김현수; 조성호; 민석기; J. H. Yoon; M. S. Kim |
| 1990-02 | Deep levels in GaAs grown on Si during rapid thermal annealing. | 김용; 조훈영; 김은규; 윤주훈; 조성호; 민석기 |
