Browsing byAuthor김용

Jump to:
All A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
  • Sort by:
  • In order:
  • Results/Page
  • Authors/Record:

Showing results 1 to 30 of 68

Issue DateTitleAuthor(s)
1988-07(100) 실리콘 기판위에 MOCVD 법으로 성장된 GaAs 에피층의 결정구조 특성 .김용; 김무성; 김현수; 민석기
1988-10Anomalous conduction band density of state in AlGaAs alloys.김용; 김무성; 민석기
1994-01Atomic force microcopy를 이용한 Al0.5Ga0.5As/GaAs 다층 에피층구조의 단면관찰에 관한 연구김용; 김희진; 김재성; 김무성; 민석기
1992-07Behavior of the two-dimensional electron gas in Si delta-doped GaAs grown by atmospheric MOCVD.김용; 김태환; 김무성; 민석기
1995-12Carrier lifetimes in dielectric disordered GaAs/AlGaAs multiple quantum well with SiN capping layers.김용; 최원준; 이석; 우덕하; 김상국; 김선호; 이정일; 강광남; 추장희; 조규만; S. K. Yu; J. C. Seo; D. Kim
1994-01CCl4 가스를 이용한 대기압 MOCVD로 성장시킨 InGaAs에서의 탄소도핑 특성김용; 손창식; 김성일; 이민석; 김무성; 최인훈; 민석기
1991-01Characterization of a MOCVD grown GaAs/AlGaAs superlattice using spectroscopic ellipsometry.김용; 김무성; 김상열; 엄경숙; 민석기
1990-03Deep traps in GaAs layers grown on (100)Si substrates by Mo(VI).김용; 조훈영; 김은규; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기
1997-05Dependence of the electrical properties of carbon-doped GaAs and AlGaAs epilayers on the surface crystallographica orientation손창식; 박영균; 이승백; 김용; 김은규; 최인훈; 김성일; 민석기
1996-01Effects of a rapid thermal annealing on the electrical properties of heavily carbon-doped InGaAs.손창식; 김성일; 김태근; 김용; 김무성; 민석기
1996-09Effects of interdiffusion on the luminescence of InGaAs/GaAs quantum dots.김용; R. Leon; C. Jagadish; M. Gal; J. Zou; D. J. H. Cockayne
1994-01Experimental and computational analysis of AlGaAs/GaAs/InGaAs heteroface solar cells grown by low-pressure MOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 안준오; 박양근
1990-01Fabrication of AlGaAs/GaAs HEMT grown by MOCVD.김무성; 김용; 엄경숙; 김성일; 민석기
1993-01Fabrication of single GaAs substrate by MOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 이민석; 김영덕
1992-01Fabrication of single quantum well separate confinement heterostructure laser diode grown by MOCVD.김성일; 민석기; 김용; 김무성; 엄경숙; C. J. Kim; H. S. Oh
1993-01GaAs 집적회로 제조를 위한 에피 성장 연구박용주; 김무성; 김용; 조훈영; 김성일; 민석기; 엄경숙
1996-01GaAs(100) 및 GaAs(311)A 기판위에 성장시킨 InGaAs 에피층의 격자변형에 관한 연구손창식; 진현철; 한철구; 이정훈; 강준모; 김용; 김무성; 민석기; 김창수
1997-11-20GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작 방법민석기; 이민석; 김용; 김무성
1989-04Growth and characterization of low-dislotation GaAs single crystal by the DM furnace박용주; 민석기; 김은규; 김용; 한철원; 심광보; 박승철
1988-09Heteroepitaxy of GaAs on silicon substrated by MOCVD.김용; 김무성; 김현수; 민석기
1994-01Impurity free quantum well disordering by rapid thermal annealing (RTA) using plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) SiN//x capping layer.강광남; 최원준; 이석; 김용; 김상국; 김회종; 우덕하; 조규만
1988-08In/Ga alloy source 를 이용하여 VPE 법으로 성장한 In// χ Ga//1//-// χ As( χ 김용; 한철원; 김현수; 민석기
1999-09Measurement of the crystallinity and the optical properties for wafer-fused GaAs epilayers on InP substrates황성민; 이주영; 김은규; 강동훈; 최인훈; 김용
1996-01Micropattern generation by holographic lithography and fabrication of quantum wire array by MOCVD.임현식; 김용; 김무성; 민석기; 김태근; 조성우; 박정호
1993-03MOCVD 기법으로 제작한 AlyGa1-yAs/Al χ Ga1- χ As/AlyGa1-yAs strip-loaded 도파도의 전파손실 측정김용; 박경현; 최상삼; 김선호; 변영태
1989-10MOCVD 방법으로 성장시킨 GaAs/Si 의 깊은 준위에 관한 연구 .김용; 김은규; 조훈영; 윤주훈; 조성호; 김무성; 김현수; 민석기
1989-06MOCVD 법에 의하여 성장한 GaAs/AlGaAs 초격자 및 고립된 양자우물 구조의 특성평가 .김용; 김무성; 엄경숙; 민석기
1991-01MOCVD 법에 의한 delta-doped GaAs FET 소자의 제작 및 특성 .김용; 김무성; 강명구; 오환술; 엄경숙; 민석기
1996-09MOCVD 법에 의한 GaAs/AlGaAs 에피층의 수평 방향 성장률에 대한 CCl4 유입 효과김성일; 김무성; 김용; 황성민; 민병돈; 손창식; 김은규; 민석기
1991-02MOCVD 법으로 Si 기판위에 성장된 GaAs 에피층의 수소화 효과 .김용; 김무성; 김은규; 조훈영; 김현수; 민석기

BROWSE