| 1992-01 | 4x4 matrix 광스위치의 설계에 관한 연구 . | 강광남; 최원준; 이유종; 홍성철; 이정일 |
| 1991-01 | A modeling on gate voltage dependence of series resistance for GaAs MESFET's and the parameter extraction utilizing the gate probe model. | 강광남; 이정일; 양진모; 임한조; 이유종 |
| 1990-01 | A simple model for parasitic resistances of LDD MOSFETS. | 강광남; 이정일; 이명복; 윤경식 |
| 1992-01 | A simple model for second substrate current hump in LDD MOSFETs. | 강광남; 이정일; M. B. Lee; K. S. Yoon; S. Hong |
| 1987-01 | A study of Au-Ge/Ag/Au ohmic contact on n-type (100) GaAs epi-wafer. | 강광남; 권철순; 최인훈; 김무성; 정지채 |
| 1990-11 | A study on silicon/silicon dioxide interface by C-V techniques. | 강광남; 이정일; 이명복; 주병권; 김형곤; 오명환 |
| 1989-01 | A study on the extraction of mobility reduction parameters in short channel n-MOSFETs at room temperature. | 강광남; 이명복; 이정일 |
| 1991-01 | A study on the interface states and capacitance-voltage behavior of InP MIS diode fabricated by plasma assisted oxidation. | 강광남; 이정일; 이명복; 임한조; J. A. Baglio; N. Decola |
| 1991-01 | A study on the parasitic resistance of a short channel MOSFETs with lightly doped drain structure. | 강광남; 이정일; 이명복; 윤경식 |
| 1992-01 | AlGaAs/GaAs/AlGaAs 이중 이종집합 HEMT 구조에서의 2 차원 전자개스농도의 양자역학적 계산 . | 강광남; 이정일; 윤경식 |
| 1995-01 | An optimal design of 4x4 optical matrix switch. | 강광남; 이정일; 조규만; 김회종; 최원준; 이석; 홍성철 |
| 1991-01 | Behavior of C-V hysteresis in MOCVD-grown Al2O3/p-InP MIS diodes. | 강광남; 이정일; C. H. Kim; T. W. Kim; H. Lim; 최병두 |
| 1995-12 | Carrier lifetimes in dielectric disordered GaAs/AlGaAs multiple quantum well with SiN capping layers. | 김용; 최원준; 이석; 우덕하; 김상국; 김선호; 이정일; 강광남; 추장희; 조규만; S. K. Yu; J. C. Seo; D. Kim |
| 1992-01 | Clear observation of the 2DEG in InGaAs/InAlAs quantum well. | 강광남; 이정일; T. W. Kim; M. Jung; K. H. Yoo; G. Ihm; S. J. Lee; H. L. Park |
| 1975-01 | Composition dependence of the transition temperatures of the binary mixtures of the Schiff base liquid crystals : MBBA/EBBA and MBBA/BBCA. | 강광남; 정원 |
| 1974-01 | Display device 에의 액정의 응용 | 강광남; 정원 |
| 1993-01 | Effective g-factor enhancement in two-dimensional electron gas in GaAs/AlGaAs heterostructures in the quantum hall regime. | 강광남; 이정일; K. S. Kim; B. D. Choe; S. J. Lee; K. S. Lee |
| 1991-01 | Effects of velocity saturation in the LDD region on the characteristics of short channel LDD MOSFETs. | 강광남; 이정일; 이명복; 윤경식; 임기영 |
| 1992-01 | Electrical subbands in a both-side-modulation-doped In//0//.//5//2Al//0//.//4//8As/In//0//.//6//5Ga//0//.//3//5As single quantum well. | 강광남; 이정일; T. W. Kim; K. S. Lee; K. H. Yoo; G. Ih |
| 1991-01 | Electrical subbands in an In0.65Ga0.35As quantum well between In0.52Al0.48As and In0.53Ga0.47As potential barriers. | 강광남; 이정일; T. W. Kim; K. S. Lee; K. H. Yoo |
| 1990-01 | Electron irradiation induced defects in GaAs - I. Simple intrinsic defects. | 강광남; 박해용; 임한조 |
| 1990-11 | Fabrication and characterization of miniature Si pressure sensor. | 강광남; 이정일; 이명복; 주병권; 김형곤; 오명환 |
| 1993-01 | Fabrication and characterization of silicon device for flow measurement (I) | 강광남; 이정일; 오명환; 김형곤; 주병권; 이명복 |
| 1987-01 | Fabrication of 1um gate GaAs MESFET and analysis of correlation between dc characteristics and channel parameters. | 강광남; 엄경숙; 이유종 |
| 1991-08 | Filling-up effect of micro-gap by interfacial oxide growing in SFB process | 강광남; 주병권; 이재옥; 김철주; 오명환; 차균현; 이명복 |
| 1991-01 | GaAs 기판상에 구성된 방향성 결합기를 이용한 진행파형 광변조기의 특성 최적화에 관한 연구 . | 강광남; 이정일; 최원준; 홍성철; 한일기 |
| 1988-01 | Hot-carrier-induced deradation in submicron MOS transistors. | 강광남; 최병진 |
| 1994-01 | Impurity free quantum well disordering by rapid thermal annealing (RTA) using plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) SiN//x capping layer. | 강광남; 최원준; 이석; 김용; 김상국; 김회종; 우덕하; 조규만 |
| 1992-01 | In0.52Al0.48As 장벽사이에서의 In0.65GaO0.35As/In0.53Ga0.47As 양자우물에서의 부띠에너지와 파동함수의 결정 | 강광남; 이정일; 김태환; 강승언; 이규석 |
| 1996-10 | Instability of anodically sulfur-treated InP. | 김은규; 민석기; 우덕하; 한일기; 이정일; 강광남; H. J. Kim; S. H. Kim; H. Lim; H. L. Park |
| 1996-01 | Knowledge based automated boundary detection for quantifying of left ventricular function in low contrast angiographic images. | 전춘기; 권용무; 강광남; 이태원 |
| 1987-01 | Monolithic microwave integrated circuits 의 현황과 장래전망 . | 강광남 |
| 1989-01 | Negative photomagnetoconductivity in thin semiconductor films. | 강광남; S. Cristoloveanu |
| 1983-01 | On the role of exact boundary conditions in phototransport phenomena : case of SI-GaAs. | 강광남; S. Cristoloveanu |
| 1992-01 | PECVD 방법에 의해 제작된 SiNx/InP MIS 구조의 bias stress 에 의한 C-V 및 G-V 곡선의 변화 . | 강광남; 이정일; 이명복; 한일기; 이유종 |
| 1995-01 | Plasma effect in dielectric cap quantum well disordering using plasma enhanced chemical vapor deposited SiN capping layer. | 이석; W. J. Choi; J. Zhang; 김용; S. K. Kim; 이정일; 강광남; K. Cho |
| 1990-01 | Reduction of transconductance in saturation region of short channel LDD NMOSFETs. | 강광남; 이명복; 이정일 |
| 1995-01 | Selective etching characteristics of ITO/semiconductor and ITO/BaTiO//3 structures by reactive ion etching. | 강광남; 이정일; 한일기; 이윤희; 김회종; 이석; 오명환; 김선호; 박홍이 |
| 1984-01 | Semi-insulating GaAs 의 재료 특성과 응용 . | 강광남 |
| 1991-01 | Simple model for gate-voltage dependent parasitic resistance in short channel lightly doped drain metal oxide semiconductor field effect transistors. | 강광남; 이정일; 이명복; S. Y. Lee; 윤경식 |
| 1993-03 | Simple Model for the Second Substrate Current Hump in Short-Channel LDD MOSFETs | LEE, MYOUNG BOG; 이정일; 강광남; K. S. Yoon; K. Y. Lim; H. Lim |
| 1993-01 | Simple Semi-Analytic Model for the Substrtate Current of Short Channel MOSFETs with Lightly Doped Drains | LEE, MYOUNG BOG; 이정일; 강광남; K. S. Yoon; K. Y. Lim; H. Lim |
| 1993-01 | Surface passivated InP metal-semiconductor-metal schottky diode. | 강광남; 이정일; 한일기; Y. J. Lee; W. J. Choi; G. H. Park |
| 1984-01 | Temperature dependence of hall mobility and electrical conductivity in SiMOX films. | 강광남 |
| 1988-01 | The effects of residual oxide layers formed after chemical etching on the electrical characteristics of Al/GaAs schottky barrier. | 강광남; 이명복; 이정일 |
| 1974-01 | The electrooptical rotation of vertically aligned nematic MBBA layers. | 강광남 |
| 1984-01 | The feld-assisted photomagneto-electric effect : Theory and experiment in semi-insulating GaAs. | 강광남; S. Cristoloveanu |
| 1988-01 | The optical properties and photodarkening effect of As//4SxSe//5//-//xGe amorphous thin films. | 강광남; W. J. Choi; J. S. Lee; B. H. Lee |
| 1989-01 | The shift of threshold voltage and subthreshold current curve in LDD MOSFET degraded under difference DC stress-biases. | 강광남; 이명복; 이정일 |
| 1984-01 | Theory of the field-assisted photomagnetoelectric effect in thin films : Experiment on n-type GaAs and applications. | 강광남; S. Cristoloveanu |
| 1984-01 | Vieillissement des transistors MOS submicroniques apres contrainte electrique revue. | 강광남 |
| 2002-12 | 다양한 반도체-유전체 덮개층 조합을 이용한 InGaAs/InGaAsP 양자우물의 무질서화 | 조재원; 이희택; 최원준; 우덕하; 김선호; 강광남 |
| 1997-08-28 | 다층 마스크패턴의 결함 수정방법 | 김회종; 강광남; 이정일; 우덕하; 이석; 이유종; 이명복; 우덕하 |
| 1995-01 | 레이저 빛살 세기가 AlGaAs/GaAs/InGaAs double heterostructure pseudomorphic HEMT 의 직류 및 고주파 특성에 미치는 영향 . | 강광남; 우덕하; 한일기; 최원준; 김회종; 김선호; 이정일; 조규만; 김성진; 김동명; 정해양 |
| 2004-11-12 | 반도체 광증폭기를 이용한 전광NAND논리소자 구현장치 | 김재헌; 강광남; 김선호; 우덕하; 전영민; 이석; 변영태 |
| 2006-09-07 | 반도체 광증폭기를 이용한 전광OR논리소자의 구현장치 | 변영태; 우덕하; 강광남; 김재헌; 이석; 전영민; 김선호 |
| 2004-10-04 | 반도체 광증폭기를 이용한 전광OR논리소자의 구현장치 | 변영태; 우덕하; 강광남; 김재헌; 이석; 전영민; 김선호 |
| 2004-10-12 | 반도체 광증폭기를 이용한 전광OR논리소자의 구현장치 | 변영태; 우덕하; 강광남; 김재헌; 이석; 전영민; 김선호 |
| 2005-12-09 | 반도체 광증폭기를 이용한 전광OR논리소자의 구현장치 | 변영태; 우덕하; 강광남; 김재헌; 이석; 전영민; 김선호 |
| 2004-02-02 | 반도체 광증폭기를 이용한 전광XOR 논리소자의 구현방법 | 김재헌; 김선호; 강광남; 이석; 변영태; 전영민; 우덕하 |
| 2007-10-04 | 반도체 광증폭기를 이용한 전광XOR 논리소자의 구현방법 | 김재헌; 김선호; 강광남; 이석; 변영태; 전영민; 우덕하 |
| 2005-08-16 | 반도체 광증폭기를 이용한 전광XOR 논리소자의 구현방법 | 김재헌; 김선호; 강광남; 이석; 변영태; 전영민; 우덕하 |
| 1996-01 | 비대칭 chirped grating 파장가변 다전극 DBR 레이저의 정적 특성 . | 강광남; 조성호; 김필수; 오차환; 이석; 최원준; 김회종; 한일기; 우덕하; 김선호; 윤태훈 |
| 1990-06 | 생체계측을 위한 피하주입형 Si 센서의 기술동향 | 주병권; 이명복; 이정일; 김형곤; 강광남; 오명환 |
| 1993-12-28 | 실리콘기판의 용융 접합방법 및 장치 | 오명환; 강광남; 주병권 |
| 1995-01-20 | 실리콘기판의 용융 접합방법 및 장치 | 오명환; 강광남; 주병권 |
| 1973-10-23 | 아연 또는 아연아말감에 의하여 투명전극용 산화주석피탁을 제거하는 방법 | 강광남; 최규원 |
| 1977-03-17 | 액정주입장치 | 정원; 강광남; 민석기 |
| 1978-06-12 | 액정표시기의 액정주입홈 | 최규원; 강광남; 민석기 |
| 2002-01 | 양자우물 무질서 공정을 이용한 양자우물 적외선 검출기의 반응대역 변화 | 신재철; 최원준; 한일기; 박용주; 김은규; 이정일; 김희재; 최정우; 강광남 |
| 2003-01-08 | 양자우물 구조를 갖는 반도체 광소자의 밴드갭 제저방법 | 최원준; 강광남; 이희택; 김선호; 우덕하; 이석; 한일기; 김회종 |
| 2002-02-19 | 양자우물 무질서화 기술에서 유전체－반도체 덮개층 조합에 의한 InGaAs/InGaAsP양자우물 밴드갭의 조작방법 | 최원준; 강광남; 김선호; 이희택; 이석; 한일기; 김회종; 우덕하 |
| 2002-10-31 | 양자점을 이용한 반도체 광 증폭기의 이득 대역폭 확장 방법 | 우덕하; 변영태; 김재헌; 김대식; 양지상; 한일기; 김회종; 최원준; 이석; 김선호; 강광남 |
| 1993-01 | 연속 파장 가변시 현상론적인 비선형 이득 포화 효과가 다전극 DBR 레이저의 변조 특성에 미치는 영향 . | 강광남; 이정일; 한일기; 이석; 최원준; 박노헌; 박홍이 |
| 1995-06 | 연속 파장 가변시 현상론적인 비선형 이득 포화 효과가 다전극 DBR 레이저의 잡음 특성에 미치는 영향 . | 강광남; 이정일; 한일기; 김회종; 우덕하; 최원준; 이석; 김선호; 박홍이 |
| 2004-11-24 | 영역분할을 이용한 디지털 이미지의 워터마크 삽입방법 | 박민철; 강광남; 김창호; 우덕하; 이석; 김선호; 한석기 |
| 1995-01 | 유전체 박막을 이용한 InGaAs/InP 양자우물의 에너지상태 변조 . | 강광남; 우덕하; 한일기; 최원준; 김회종; 김선호; 이정일; 김상국; 조규만 |
| 1997-12-11 | 전자빔 리소그래피 장치 및 이를 이용한 다층 정렬 방법 | 김회종; 강광남; 이정일; 이명복; 최원준; 이유종; 한일기 |
| 1994-01 | 파장 가변 광변조 모듈용 파장 가변 다전극 DBR 레이저의 변조 특성 . | 강광남; 최원준; 이석; 한일기; 김선호; 김회종; 우덕하; 박홍이 |
| 1994-01 | 파장 가변 광변조 모듈용 파장 가변 다전극 DBR 레이저의 정적 특성 . | 강광남; 최원준; 이석; 한일기; 김상국; 김회종; 우덕하; 박홍이 |
| 1993-01 | 파장 가변 다전극 DBR 레이저의 잡음 특성에 관한 연구 . | 강광남; 최원준; 이석; 김회종; 이정일; 박홍이 |
| 1995-01 | 화학선속 증착법 (Chemical Beam Epitaxy) 으로 성장한 InGaAsP 시료의 광루미네슨스 특성 . | 강광남; 우덕하; 한일기; 최원준; 김회종; 김선호; 이정일 |
| 1994-12 | 황처리가 Metal/InP 와 Si//3N//4/InP 계면에 미치는 영향 . | 강광남; 이정일; 한일기; 허준; 임한조; 김충환 |
